传感器原理及应用第9章 光电式传感器讲述.pptx

电信号 被测非电量光电器件测量电路U、I 第九章 光电式传感器 光电式传感器的定义 以光电器件或传播光路为敏感元件，将被测量通过光信号的变化转换为电信号变化的传感器。光电式传感器的物理基础和组成 物理基础：光电效应。光源、光学元件和光电元件三部分。光电式传感器的感测量 位移、振动、压力、加速度、液位、成分含量等。光电式传感器的种类 根据工作原理：内光电效应型和外光电效应型。 第九章 光电式传感器 9.1 光的特性与光源9.2 光电效应9.3 光电器件9.4 光纤传感器9.5 光电式传感器应用§9.1 光的特性与光源一、光的特性光波：波长10~106nm电磁波。可见光波长：380~780nm；紫外线波长：10~380nm；红外线波长：780~106nm。光具有反射、折射、散射、衍射、干涉和吸收等性质。光的粒子性：光是以光速运动着的粒子（光子）流，一束频率为的光由能量相同的光子所组成，每个光子的能量为电磁波谱图光的频率愈高（即波长愈短），光子的能量愈大。§9.1 光的特性与光源一、光的特性电磁波谱图常用光源发光器件物体辐射光白炽光源气体放电光源发光二极管激光器GaP、SiC可见光LEDGaAs红外LED§9.1 光的特性与光源二、常用光源§9.1 光的特性与光源二、常用光源650 nm LD808 nm 大功率LD1.55 um LD模块 第九章 光电式传感器 9.1 光的特性与光源9.2 光电效应9.3 光电器件9.4 光纤传感器9.5 光电式传感器应用金属金属氧化物半导体光照 电子电子逸出物体表面金属金属氧化物光照电子在物体内部运动半导体 光照§9.2 光电效应一、光电效应基本概念光电效应是光电传感器的基本转换原理。外光电效应和内光电效应。 外光电效应内光电效应§9.2 光电效应二、外光电效应（3）逸出的光电子具有动能。（4）从光照至发射电子，时间 10-9 s。外光电效应：物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。爱因斯坦光电效应方程： （1）光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面电子逸出功。（2）入射光频谱成分一定时，产生的光电流和光强成正比。电子能量E电子能量E光生电子空穴对自由电子所占能带hυ≧Eg导带导带不存在电子所占能带EgEg禁带禁带价电子所占能带价带 价带 §9.2 光电效应三、内光电效应内光电效应：当光照在物体上，使物体的电导率发生变化或产生光生电动势的效应。光电导效应和光生伏特效应。1、光电导效应在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化。当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大。基于这种效应的光电器件有光敏电阻等。§9.2 光电效应三、内光电效应2、光生伏特效应在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管等。（1）势垒效应（结光电效应）光照射PN结时，若hυ≧Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，电子偏向N区外侧，空穴偏向P区外侧，使P区带正电，N区带负电，形成光生电动势。§9.2 光电效应三、内光电效应2、光生伏特效应（2）侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时，因载流子浓度梯度而产生侧向光电效应。光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对，光照部分载流子浓度比未受光照部分的大，就出现浓度梯度，因而载流子要扩散。 有光照时，光子能量足够大产生光生电子—空穴对，在PN结电场作用下，形成光电流，电流方向与反向电流一致，光照越大光电流越大。 器件：光敏二、三极管。 （3）处于反偏的PN结 无光照时，反向电阻很大，反向电流很小。 第九章 光电式传感器 9.1 光的特性与光源9.2 光电效应9.3 光电器件9.4 光纤传感器9.5 光电式传感器应用§9.3 光电器件一、光电管光电管：外光电效应器件。当光线照射在光敏材料上时，如果光子的能量大于电子的逸出功，会有电子逸出产生电子发射。电子被带有正电的阳极吸引，在光电管内形成电子流，电流在回路电阻RL上产生正比于电流大小的压降。UOUTRLKAD1D4D2D3IAR1R2R3R4R5§9.3 光电器件二、光电倍增管光照很弱时，光电管产生的电流很小，为提高灵敏度常常使用光电倍增管。如核仪器中闪烁探测器多使用光电倍增管做光电转换元件。光电倍增管结构：由阴极、次阴极（倍增电极）、阳极组成。次阴极可达30级，通常为12~14级。光电倍增管工作原理：利用二次电子释放效应，高速电子撞击固体表面，发出二次电子，将光电流在管内进行放大。§9.3 光电器件三、光敏电阻光敏电阻：内光电效应器件。1、基