《硫吸附在氧化石墨烯上的理论研究》毕业学术论文.docVIP

《硫吸附在氧化石墨烯上的理论研究》毕业学术论文.doc

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本 科 生 毕 业 设 计(论 文) 论文题目 : 硫吸附在氧化石墨烯上的理论研 究 姓名 : 学号 :班级 : 090561班 年级 : 2009级 专业 : 材料化学 学院 : 化学生物与材料科学学院 指导教师 : (讲师) 完成时间 : 2013年 6 月16日 硫吸附在氧化石墨烯上的理论研究 A first Principles Study of Sulfur Adsorption on Graphene Oxide Chen, Shuisheng 2013年 6 月16日 东华理工大学毕业设计(论文) 摘要 摘 要 氧化石墨烯(GO) 是在石墨烯表面具有含氧的功能基团,具有自由分散的二维结构,由于与石墨烯的电子结构不同,表现出片层内sp2区和sp3区的随机分布的特点,因此氧化石墨烯也具有奇特的光学特性和电学性质。本论文以GO为研究对象,运用第一性原理研究介绍了GO的结构性质,研究了S吸附在GO上的微观结构,在此基础上建立了GO-S的微观结构模型,并展开对 GO-S微观结构的深入分析,探索了S掺杂在GO上的稳定结构及电子传输性质。 运用DMo13独特的密度泛函理论量子化学程序,通过计算我们对S吸附在氧化石墨烯上进行了研究,讨论了氧化石墨烯的能量变化和氧化石墨烯的存在的一些稳定结构及微观构象,探讨含氧基团对于S的吸附的作用。根据我们计算结果,氧化石墨烯可以作为S吸附的很好底物,另外我们计算也表明硫原子可以插入到羟基之间,通过过渡态的理论计算,吸附在氧化石墨烯表面上的硫原子也可以插入到羟基上。同时氧化石墨烯上存在的含氧的活性缺陷位,对于化学功能化的氧化石墨烯具有重要的运用,以及可以设计新颖的化学传感器设备。 关键词:第一性原理; 氧化石墨烯;硫;吸附 东华理工大学毕业设计(论文) Abstract Abstract Graphene oxide (GO) has free distributed two-dimensional structure and oxygenic group. As its electronic shell structure is different from Graphene,it shows random distribution of sp3 zones and sp2 area in the layers, so GO has unusual electrochemical properties?and optical properties. In the paper, we choose GO as the research object, introduce the electrochemical properties of GO by utilizing the primary principle, and study the microscopic structure of S adsorption in GO. Based on the research we have, then we establish the GO-S microstructure model. Furthermore, we also analyse the detailed microstructure on GO-S, and explore the stability and the electronic transport properties of the material when the GO is mixed with S. By using the unique DMo13 density functional theory of quantum chemistry program, we have investigated the S adsorption on the Graphene oxide and discussed the energy change , stable conformation and microscopic structure of graphene oxide , then study the effect of oxygen containing groups on the adsorption of S. According to our experiment and theore

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