半导体制程简介-精选版.pptVIP

3.射出成形 (1)以電鑄所得的金屬微結構，做為微型的塑膠射出　 模具或壓縮模具。 (2)或是由這些量產的塑膠微結構做為電鑄用模型，　　　　　　 進行第二次電鑄，便可以量產金屬微結構零件。 回目次 一、 LIGA製程 13-2　微細製造簡介 課本P.283 二、精微機械製造 泛指製品具有3D複雜形狀，且尺度介於0.5～10mm。 相較於半導體製程，精微機械製造在我國是一項剛　起步的製造科技。 回目次 13-2　微細製造簡介 課本P.283 精微機械製造如表13－1所示，有微車削、微銑削、微磨削、微放電/線切割、微超音波及微雷射加工等。 回目次 二、精微機械製造 13-2　微細製造簡介 課本P.283 以車、銑、磨、放電及雷射等各種精微機械製造　方法，來製作可大量生產的精微模具及成形技術　，是精微製造技術未來的主流。 精微鍛造成形技術，被視為最有潛力的微型零件　生產技術。 回目次 二、精微機械製造 13-2　微細製造簡介 課本P.284 1.微銑削 (1)與傳統銑削最大的差別在於使用直徑小於1mm的　微型刀具進行銑削加工。 (2)搭配高轉速（20,000rpm～60,000rpm），進行低切削量高進給速率的方式。 (4)可使加工表面達到鏡面的光度及微米級的尺度精 度。 (3)刀具對工件有銑削及拋光的雙重作用。 回目次 二、精微機械製造 13-2　微細製造簡介 課本P.284 圖13－17所示為直徑0.2mm的端銑刀。 回目次 二、精微機械製造 13-2　微細製造簡介 1.微銑削 課本P.284 (1)利用無心研磨不需夾持工件兩端，即可進行研磨　 的加工原理製作而成。 (2)可製作直徑0.1～3mm，公差1?m，細長比20倍以　 上的零件。 (3)應用在微衝模及鍛造模的衝頭、頂出銷、微細軸件或是微放電加工用的電極等。 2.微磨削 回目次 二、精微機械製造 13-2　微細製造簡介 課本P.284 (1)有微放電迴路，能更微細控制加工能量，以確保　　高效率及穩定的長時間使用。 (2)微放電加工的尺度可小至10?m，公差控制在1?m　以內。 (3)加工的形式可分為微細孔加工、微細溝槽加工及3D形狀模具加工。 3.微放電加工 回目次 二、精微機械製造 13-2　微細製造簡介 課本P.285 如圖13－18所示為3D形狀模具加工。 回目次 3.微放電加工 二、精微機械製造 13-2　微細製造簡介 課本P.285 ◎影片 薄膜的製作通常採用氣相沉積和氧化等方法。 (1)薄膜製作： ①氣相沉積薄膜 A.物理（PVD）B.化學氣相沉積（CVD） C.磊晶 回目次 二、半導體製程 13-1　半導體製程簡介 矽晶圓製作IC 2. IC中的線路及元件製作 課本P.273~274 ①氣相沉積薄膜 B.化學氣相沉積：CVD（Chemical vapor deposition ） 圖13－7所示的常壓式與低壓式二種化學氣相沉積爐。 回目次 (1)薄膜製作： 13-1　半導體製程簡介 課本P.274 圖13－7　常壓式與低壓式化學氣相沉積爐 A.物理氣相沉積：PVD（Physical vapor deposition） B.化學氣相沉積：CVD（Chemical vapor deposition ） 常用於多晶矽、氮化矽及二氧化矽等薄膜的　沉積。 低壓式的爐體為密閉設計，可節省大量反應　用的化學氣體。 生產率高且膜厚均勻。 回目次 13-1　半導體製程簡介 課本P.274 ①氣相沉積薄膜 (1)薄膜製作： C.磊晶 使沉積薄膜的結晶方向與基材（晶圓）相　同或直接相關的一種薄膜製作方法。 磊晶薄膜的雜質少，製成的元件效能較高。 回目次 13-1　半導體製程簡介 課本P.274 ①氣相沉積薄膜 (1)薄膜製作： IC製程中二氧化矽是最常使用的氧化薄膜。 乾式氧化（高品質） 溼式氧化（高效率） 製作的方法 以乾→溼→乾的順序來提高生產率製作高　　品質的二氧化矽薄膜。 回目次 13-1　半導體製程簡介 課本P.274~275 ②氧化薄膜 (1)薄膜製作： 光罩 一片印製有線路、元件圖案的透明石英玻璃。 正片光罩：線路部分透光（其餘部分不透光） 負片光罩：線路部分不透光（其餘皆透光） 影像呈現的形式 回目次 (2)微影製程： 13-1　半導體製程簡介 課本P.275 將光罩上的線路、元件圖案，投影至晶圓表面，以便後續蝕刻出圖案。 曝光 顯影 微影製程步驟 光阻塗布 回目次 (2)微影製程： 13-1　半導體製程簡介 課本P.275 光阻是一種感光材料，由感光劑、樹脂及溶劑混合而成。 正光阻：不溶於顯影液 負光阻：易溶於顯影液 依成分分為 解析度較佳！ 回目次 ①光阻塗布 (2)微影製程： 13-