《14场效应管课件》课件.pptVIP

二、交流参数 1. 低频跨导 gm 2. 极间电容 用以描述栅源之间的电压 uGS 对漏极电流 iD 的控　　制作用。 单位：iD 毫安(mA)；uGS 伏(V)；gm 毫西门子(mS) 这是场效应管三个电极之间的等效电容，包括 Cgs、　　Cgd、Cds。 极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。　　一般为几个皮法。 三、极限参数 3. 漏极最大允许耗散功率 PDM 2.漏源击穿电压 U(BR)DS 4. 栅源击穿电压U(BR)GS 由场效应管允许的温升决定。漏极耗散功率转化为　　热能使管子的温度升高。 当漏极电流 ID 急剧上升产生雪崩击穿时的 UDS 。 场效应管工作时，栅源间 PN 结处于反偏状态，若　　UGS U(BR)GS ，PN 将被击穿，这种击穿与电容击　　穿的情况类似，属于破坏性击穿。 1.最大漏极电流IDM 例2 电路如图1.4.14所示，其中管子T的输出特性曲线如图1.4.15所示。试分析ui为0V、8V和10V三种情况下uo分别为多少伏？ 　 图1.4.14 　　　　图1.4.15 分析：N沟道增强型MOS管，开启电压UGS(th) ＝4V 解 (1) ui为0V ，即uGS＝ui＝0，管子处于夹断状态　 所以u0＝ VDD ＝15V (2) uGS＝ui＝8V时，从输出特性曲线可知，管子工作 在恒流区， iD＝ 1mA， u0＝ uDS ＝ VDD - iD RD ＝10V (3) uGS＝ui＝10V时， 若工作在恒流区， iD＝ 2.2mA。因而u0＝ 15- 2.2*5 ＝4V 但是， uGS ＝10V时的预夹断电压为 uDS= uGS – UT=(10-4)V=6V 可见，此时管子工作在可变电阻区 从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图) 所以输出电压为 晶体管 场效应管 结构 NPN型、PNP型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子运动 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 CCCS(β) 电压控制电流源 VCCS(gm) 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温 　　　　　　　　　　　　　 度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和 　　　　　　　　　　　　　 超大规模集成　　 晶体管 场效应管 * 备注 * 1.4　场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管，是利用输入电压产生的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，是电压控制型器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 特点 输入端电流极小，因此它的输入电阻很大 利用多数载流子导电，其温度稳定性较好 抗辐射能力强、功耗低、噪声低 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 （IGFET） 1.4　场效应晶体管 D S G N 符号 1.4.1　结型场效应管（Junction Field Effect Transistor） 结构 图 1.4.1　N 沟道结型场效应管结构图 N型导电沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 P 沟道场效应管 　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S 一、结型场效应管工作原理 N 沟道结型场效应管是通过改变 UGS 的大小来控制漏极电流 ID 的。(VCCS) G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道