第三章仪器设备与实验步骤.PDFVIP

第三章 儀器設備與實驗步驟 一、儀器設備 3.1濺鍍系統介紹 [1-4] 3.1.1 濺鍍原理 濺鍍系統架構圖如圖 3-1所示，固體表面受到帶有高能量的粒子 (受電埸加速的正離子的衝擊，固體表面的原子、分子等從帶有高能) 量粒子取得運動能量，由固體表面被擊出，這種現象稱濺鍍。 磁控濺鍍系統基本上是在高真空環境中充入工作氣體，其中， Ar氣體最被常採用於 sputtering的原因為：Ar容易取得且與物質不起反 應，其Sputtering yield (濺鍍率，S)值高。藉著兩個相對應的金屬板(陽 極板和陰極板) ，此氣體由高電壓放電產生電漿(plasma) ，電漿中的正 離子被陰極板的負電壓吸引加速，具有高能量後，轟擊陰極靶材表 面，將離子動量轉移給靶材原子，靶材原子獲得動量後逸出靶材表 面，附著於基板上；即是將直流電輸入真空系統中，進行金屬濺鍍工 作。，另外，使用磁控濺鍍系統的先決條件，就是兩個電極板的材料 必須是導體才行，以避免帶電荷粒子在電極板表面上累積，這會使兩 個電極板的迴路相當於一個荷電的電容。 69 由於濺射是屬於動量之轉移，其蒸鍍速率與靶材材料之熔點無 關，故鎢與鋁之濺射速率並無多大差別。在濺