Y和Gd在Mg中反常固溶强化行为的电子起源第一性原理计算研究-Core.PDFVIP

2010 年 第 55 卷 第 22 期：2247 ~ 2251 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS Y 和Gd 在Mg 中反常固溶强化行为的电子起源：第一性 原理计算研究 ①② ③ ③ ①* ① 高磊 , 周健 , 孙志梅 , 陈荣石 , 韩恩厚 ① 中国科学院金属研究所, 金属腐蚀与防护国家重点实验室, 沈阳 110016; ② 中国科学院研究生院, 北京 100049; ③ 厦门大学材料学院, 厦门 361005 * 联系人, E-mail: rongshichen@ 2010-01-12 收稿, 2010-04-03 接受 国家重点基础研究发展计划(2007CB613704)和国家自然科学基金资助项目 摘要 Y 和Gd 在Mg 中表现出反常高的固