MOSFET漏源电阻的半经验模型-中国科学信息科学.PDFVIP

中国科学: 信息科学 2017 年 第47 卷 第12 期: 1730–1740 论文 漏源电阻的半经验模型 * 柯导明 杨建国 常红 杨菲 胡鹏飞 彭雪扬 孙乐尚 吴笛 安徽大学电子信息工程学院, 合肥 230601 * 通信作者. E-mail: kedaoming@ 收稿日期: 2016–11–05; 接受日期: 2017–02–06; 网络出版日期: 2017–07–14 国家自然科学基金(批准号: 资助项目 摘要 本文基于微元电阻和积分中值定理导出了仅有 个待定参数的超深亚微米 的 漏源电阻模型 而这 个参数可以用多元线性回归方法得到 论文用数值模拟数据 拟合了衬底掺 杂是 15 16 −3 、沟道长度是 的平面 和 的 漏源电阻模型的待定参数 得到了它们的半经验公式 最大误差仅有 漏源电阻模型和它的 半经验公式计算结果表明 漏源电阻仅与漏源 结结深、电阻率和沟道到漏源电极长度有关 沟道长度、叠栅长度和电极