混沌随机数发生器的设计分析.pdfVIP

第 26 卷 　第 12 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 12 2005 年 12 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Dec . ,2005 混沌随机数发生器的设计 王云峰 　沈海斌 　严晓浪 (浙江大学超大规模集成电路设计研究所 , 杭州 　3 10027) 摘要 : 为了使由模拟电路实现的混沌随机数发生器可以在标准数字 CMO S 工艺上实现 ,设计了一类基于 MO S 电 容的混沌随机数发生器 ,可以作为一个通用 IP ,用于 SOC 的设计. 当电路工作时 ,用于电容设计的 MO S 管的栅极 与衬底之间形成耗尽层 ,利用串联补偿方法提高 电容的线性度. 所设计的混沌随机数发生器 已经在 TSMC 的 μ 025 m 、标准的数字 n 阱 COM S 工艺进行流片 ,对芯片的测试工作也已完成 ,测试结果显示 ,生成的随机数具有