电工电子第十九讲.pptxVIP

PNP型发射极集电极NPNPPN基极EECCCCICBBICBBIBIBIEIEEE半导体三极管基本结构NPN型集电极发射极基极符号：NPN型三极管PNP型三极管集电极C基极NPBNE发射极结构特点：集电区：面积最大基区：最薄，掺杂浓度最低集电结发射结发射区：掺杂浓度最高CRCNRBPBNECEBE电流分配和放大原理1. 三极管放大的外部条件发射结正偏、集电结反偏从电位的角度看： NPN 发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB三极管的电流控制作用输出回路输入回路三极管具有电流控制作用的外部条件 : 共发射极接法放大电路（1）发射结正向偏置；ICRC（2）集电结反向偏置。IBCBEC对于NPN型三极管应满足:UBE 0UBC 0即 VC VB VE UCERBEUBEEB对于PNP型三极管应满足:UEB 0UCB 0即 VC VB VE公共端CIB(mA)0.040.0600.020.080.102.353.203.950.801.60IC(mA)0.001B0.821.642.413.284.05IE(mA)0.001E符号2. 各电极电流关系及电流放大作用结论:1）三电极电流关系IE = IB + IC2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB，且? IC ≈β? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。电源负极向发射区补充电子形成 发射极电流IE电子流向电源正极形成 IC集电区收集电子 EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成 IB电子在基区扩散与复合IB发射区向基区扩散电子IEICNVCCPNRBRCVBB 三极管的电流控制原理(1) IC IB同样有:? IC ? IB由于基区很薄，掺杂浓度又很小，电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。所以：(2) 当基极电路由于外加电压或电阻改变而引起IB的微小变化时，必定使IC发生较大的变化。即三极管的基极电流对集电极电流具有控制作用所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。IB = f (UBE )UC E = 常数UCE ≥ 1VIBICIBCBEC UCERBE0UBEUBEEB 死 区三极管的特性曲线1.三极管的输入特性导通电压硅管约为0.5V，锗管约为0.1V2.三极管的输出特性IC = f (UCE )IB = 常数IC ICRCIB增加IB =60μAAIBCBEC UCERBEIB =40μAIB 减小UBEEBIB = 20μA0UCE 放饱和区大截止区区三极管输出特性上的三个工作区IC / mA80 μA60 μA40 μA20μAIB= 0 μA0UCE /V三极管的主要参数 IC ? = IB? IC ? = ? IB 极限参数使用时不允许超过!1.电流放大系数 (1)直流电流放大系数 (2)交流电流放大系数 2.穿透电流 ICEO 3.集电极最大允许电流 ICM 4.集--射反相击穿电压 U(BR)CEO 5.集电极最大允许耗散功率 PCMPCM曲线ICM过安损全工耗作区区U(BR)CEO由三极管的极限参数确定安全工作区IC / mA80 μA60 μA40 μA20μAIB= 0 μAUCE /V0ICEOIC ? = 1.5mAIB =40μA ? == 37.5IC IB 2.3–1.5(mA)=60 –40(μA)= 40在输出特性上求 ? , ?设UCE=6V, IB由40μA加为60μA 。IC / mA60μA2.3IB =40μA1.5 20μAUCE /V06第三章分立元件基本放大电路3.1 基本放大电路的组成共发射极接法放大电路三极管具有电流控制作用的外部条件 : RC（1）发射结正向偏置；C（2）集电结反向偏置。BUCCT对于NPN型三极管应满足:UBE 0UBC 0即 VC VB VERBEEB省去一个直流电源集电极负载电阻偏置电阻直流电源uoui 基本交流放大电路的组成+VCCRCC2RBC1T耦合电容耦合电容的作用：RSuoRLus C1 用来隔断放大电路与信号源之间的直流通路；C2用 来隔断放大电路与负载之间的直流通路。同时又起到 耦合交流的作用，其电容值应足够大，以保证在一定 的频率范围内，耦合电容上的交流压降小到可以忽略 不计，即对交流信号可视为短路。VCCRCC2RBC1T信号源负载+UCCRCC2RB+iC+C1iB+==++iiIIii+uCETBCCBbc++uBEuo––uiiE––uUu+=CECEceuCEuoiCuBEiB