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高压真空断路器弧后延时重击穿现象分析和研究 　　[摘 要]真空断路弧后延时重击穿现象可能引起危险的过电压，破坏断路器的稳定运行。通过大量的实验观察，研究探讨了产生此现象的机理，并提出了解决问题应采取的对策。 　　[关键词]真空断路器 延时 重击穿 　　中图分类号：TM5 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2014）04-0358-01 　　0 引言 　　大量的实验观察表明，真空断路器在开断成功以后，经几十毫秒至几秒的长时间延时，在暂态恢复电压早已衰减之后，触头间隙仍可能发生击穿，这就是所谓的弧后延时重击穿现象，又称为非自持破坏性放电现象。 　　为寻找真空断路器弧后延时重击穿的对策，必须首先了解弧后延时重击穿的机理。目前，有两种机理解释：一种认为，弧后延时重击穿是因机构驱动所造成的；另一种则认为，该现象为微粒效应所引起。为此进行系统的研究，设定实验研究的条件是：开断电流10KA（幅值）以下，恢复电压40-60kV（幅值）。这与我国现行生产的35kV真空灭弧室条件极为接近。通过大量实验观察，阐明现象的机理，从中得出适当的对策，这对于我国有关单位今后研究和改进35kV真空断路器有重要的参考价值。 　　1 试验条件 　　真空断路器弧后延时重击穿现象利用可拆式灭弧室进行试验观察。触头结构为平板型和杯型，触头材料为Cu―Cr，其成分和工艺见表1。其中，1#材料是烧结以后再冷压，其他材料仅为烧结。材料的含气量为：02小于400×10-6，H2和N2小于5×10-6。杂质含量为：Fe约300×10-6，S，Ca，Pb各小于100×10-6，其他杂质各小于20×10-6。触头开距3mm或10mm，接触压力100N，分断速度1m/s。试验前触头经火花老练，并测量击穿电压。试验分断电流为10kA（幅值）以下，触头在电流幅值瞬间分开，故燃弧时间为5ms。电流到达零点后2ms或4ms加恢复电压2-9s。静、动触头在分断方向的加速度用压电晶体传感器进行测量，驱动机构对屏蔽罩上的镜子提供信号，由光电子高速摄影机记录。 　　表1 被试触头材料成分和工艺 　　2 试验结果 　　对于平板型结构的触头采用表1中的材料，触头开距3mm或10mm，分断电流1.81kA或5kA（幅值），恢复电压20-72kV（幅值），获得的结果如下。 　　当触头开距为3lllm时，10%击穿电压为45kV（幅值）。若试验电压与10%击穿电压之比低于0.44便不发生击穿。重击穿频率随电流零后延时增长而下降。在重击穿发生前30ms以内未发现场发射电流上升。 　　当触头开距为10mm时，10%击穿电压为75-115kV（幅值）。在被试的触头材料中，击穿电压的差别不大，但随触头侵蚀的增大而稍有增高。 　　（1）图1显示出重击穿次数与电流零后时间的分布关系。此试验结果显示，在不同的时间范围内显示下列的不同形式的重击穿。早期重击穿的时间分布如图2所示。 　　（2）在电流零后10-50ms范围内，因驱动机构对触头和屏蔽罩产生机械冲击而诱发重击穿，称为“感应”重击穿。在恢复电压幅值附近，重击穿呈正态分布（见图3），图中机械冲击和屏蔽罩运动的瞬间已示出，恢复电压也绘出。 　　（3）电流零后50ms-9s，随机性产生自发性的重击穿，称为“自发”重击穿，它的频度以时间常数400-700ms和3s按指数规律衰减（见图4）。 　　为了避免“早期”重击穿产生，曾在电流零后4ms再加逐步衰减的恢复电压，结果是10ms-9 s内重击穿对时间的分布不变。 　　大量试验表明，“早期”重击穿多发生在恢复电压起始上升时，而“感应”和“自发”重击穿则多发生在恢复电压的幅值附近。重击穿时间的分布与试验参数无关。 　　当恢复电压超过冷间隙10%击穿电压的某一临界百分数时即发生重击穿。试验表明，此临界百分数与触头材料、触头开距、击穿电压（绝对值）、开断电流、触头侵蚀等无关。对3种形式的重击穿都是如此。对平板型触头临界百分数为45%，而对杯型触头为30%。 　　试验数据还显示，重击穿对时间的分布规律与开断电流的大小无关，重击穿几率随恢复电压的增高而加大。重击穿发生前场发射电流并不上升。 　　对杯型结构触头，采用表1第1#，5#材料，触头开距10mm，电流零后4ms加恢复电压，得到的重击穿时间的分布与平板型触头相同。重击穿多发生在恢复电压幅值附近。重击穿临界百分数为30%。重击穿几率随恢复电压与击穿电压比值的增大而逐步增高。 　　3 机理探讨 　　3.1 现象 　　（1）在重击穿发生前没有观察到场发射电流增大。 　　（2）当恢复电压与击穿电压的比值相同时，虽然3mm间隙的场发射电流比10mm间隙高出2-3倍，但短间隙下发生的重击穿并不比长间隙更频繁。 　　（3）用显微镜可