微电子学概论ch4集成电路制造工艺cmos工艺.pptxVIP

上一次课的主要内容从原始硅片到封装测试前的关键工艺图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。 工艺：光刻、刻蚀掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 工艺：扩散，离子注入 ，退火薄膜制备：制作各种材料的薄膜 工艺：氧化，化学气相淀积，物理气相淀积工艺集成 工艺集成：组合工艺，制备不同类型的集成电路双极工艺 双极集成电路CMOS工艺CMOS集成电路CMOS反相器 P N+ N+AlAl栅电极：重掺杂的多晶硅 体源漏漏源AlP+N+N+P+P+P 阱N 衬底多晶硅氧化层金属体源漏漏源AlP+N+N+P+P+P 阱N 衬底P阱CMOS集成电路工艺流程N型(100)衬底的原始硅片P阱(well)N衬底制备阱的原因：需要在同一衬底上制备p和n两种类型MOSFET硼注入PN衬底形成P阱初始氧化：生成二氧化硅薄氧化层(氧化层作用)淀积氮化硅层：离子注入时的掩蔽层光刻，定义出P阱位置反应离子刻蚀氮化硅层P阱离子注入: 带氧化层注入N衬底P阱P阱N衬底推阱退火驱入：使阱的深度达到所需要求（激活）有一定氧化去掉氮化硅、氧化层N型(100)衬底的原始硅片P阱(well)隔离 隔离工艺 MOS晶体管结构: 自隔离性相邻MOS管之间区域（氧化层）上有导线经过时，寄生MOS管可能开启，相邻晶体管之间的隔离被破坏器件间的泄漏电流，相互干扰甚至导致逻辑状态改变隔离不完全MOS集成电路隔离：如何防止寄生晶体管开启增大场氧化层厚度提高场氧下面硅层的表面掺杂浓度，提高阀值硼注入P阱N衬底生长一层薄氧化层淀积一层氮化硅光刻场区，有源区被光刻胶保护反应离子刻蚀氮化硅场区离子注入：同时也形成沟道阻挡层热生长厚的场氧化层（激活，半槽氧化隔离）去掉氮化硅层LOCOS隔离(local oxidation)P阱N衬底场氧光刻掩膜版P阱N衬底 LOCOS隔离鸟嘴现象：费面积，存在窄沟效应 NMOS、PMOS结构N型(100)衬底的原始硅片P阱(well)隔离NMOS结构PMOS结构阈值调整注入阈值调整注入可以不用掩膜版可以用掩膜版阈值调整注入磷P阱N衬底阈值调整注入可以不用掩膜版直接注入磷，调整PMOS管的阈值电压 NMOS管有一定杂质补偿，与阱注入共同考虑，调整阈值电压阈值调整注入磷硼P阱N衬底 阈值调整注入：可以用掩膜版 PMOS阈值调整版光刻 注入磷 NMOS阈值调整版光刻 注入硼 去胶磷P阱N衬底淀积氮化硅层利用掩膜版，光刻离子注入区磷离子注入，调节阀值去掉氮化硅层PMOS阀值调整掩膜版硼P阱N衬底NMOS阀值调整掩膜版淀积氮化硅层利用掩膜版，光刻离子注入区硼离子注入，调节阀值去掉氮化硅层阈值调整注入栅氧化层和多晶硅栅体源漏漏源AlP+N+N+P+P+P 阱N 衬底磷P阱N衬底形成栅氧化层和多晶硅栅 去除氧化层 生长栅氧化层，同时热激活阈值注入 淀积多晶硅，注入磷形成掺杂多晶硅？刻蚀多晶硅栅（反应离子刻蚀）形成重掺杂，且为N型，电子导电空穴导电P阱N衬底阈值调整注入栅氧化层和多晶硅栅NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入磷PRP阱N衬底形成NMOS管的源漏区在光刻胶上刻蚀出NMOS管源漏区掺杂的窗口，利用光刻胶保护PMOS管区域 自对准离子注入磷或砷（需先形成多晶硅栅），形成N管源漏区去掉光刻胶（Photoresist）磷PRP阱N衬底硼P+P+P+P阱N衬底形成PMOS管的源漏区 在光刻胶上刻蚀出PMOS管源漏区掺杂的窗口，利用光刻胶保护NMOS管区域 自对准离子注入硼，形成P管源漏区、P阱引出去掉光刻胶（Photoresist）硼P阱N衬底P+N+N+P+P+P阱N衬底P+N+N+P+P+P阱N衬底形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻低温淀积氧化层反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层淀积难熔金属Ti或Co等低温退火，形成难溶金属硅化物TiSi2或CoSi去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2P+N+N+P+P+P阱N衬底形成自对准多晶硅/硅化物（salicide）：降低寄生电阻低温淀积氧化层反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层淀积难熔金属Ti或Co等低温退火，形成难溶金属硅化物TiSi2或CoSi去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2N型(100)衬底的原始硅片P阱(well)阈值调整注入隔离栅氧化层和多晶硅栅NMOS结构PMOS结构NMOS管源漏注入PMOS管源漏注入连线 P N+ N+AlAl 连线 接触孔 金属连线P+N+N+P+P+P阱N衬底形成接触孔（为了实现层间互连） 淀积氧化层（层间绝缘）退火和致密反应离子刻蚀氧化层，形成接触孔P+N+N+P+P