高压碳化硅功率整流器的优化设计与实验研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

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  • 2018-10-16 发布于上海
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高压碳化硅功率整流器的优化设计与实验研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

高压碳化硅功率整流器的优化设计与实验研究-微电子学与固体电子学专业论文

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成 果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表 或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使 用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说 明并表示谢意。 签名: 日期: 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 签名: 导师签名: 日期: 年 月 日 摘要 摘 要 碳化硅(SiC)半导体材料作为第三代半导体材料具有宽带隙、高电子饱和漂 移速度、高热导率、高临界击穿电场的“四高”特性,特别适合制作大功率、高 温、抗辐照的电力电子器件。4H-SiC 功率整流器,如肖特基二极管(SBD)和结 势垒肖特基二极管(JBS),在高效能源转换应用方面具有很大的潜力,但由于受 到曲率效应的严重影响,4H-SiC 材料的高耐压特性没有充分发挥出来。 本论文针对这个问题,运用降低表面电场效应理论(Resurf 理论)和结终端技 术,开展了 4H-SiC 功率整流器(JBS 和 SBD)的结构设计优化与流片实验研究, 获得了击穿电压 1200V 的多层刻蚀 JTE 的新型结终端结构。本论文的主要内容为: 1. 设计优化 4H-SiC SBD 和 4H-SiC JBS 功率整流器的元胞结构,得到 SBD 和 JBS 结构中漂移区的厚度与掺杂浓度、P+注入区长度与浓度以及注入深度与器 件电学特性的优化关系。 2. 设计优化 4H-SiC SBD 和 4H-SiC JBS 功率整流器的结终端结构,得到不同 终端结构形式(如 JTE、保护环、场板等)与器件击穿电压的优化关系。 3. 提出一种能够减少工艺控制难度的多层刻蚀 JTE 的新型结终端结构,并进 行了流片实验和测试分析,器件击穿电压大于 1200V。 关键词:碳化硅,肖特基二极管,结势垒肖特基二极管,多台阶刻蚀 JTE,反向击 穿电压 I ABSTRACT Abstract Silicon carbide, a third generation semiconductor, becomes the best candidate to fabricate high power, high temperature and anti irradiation power device, for it enjoys a ―four-high‖ characteristics, namely, high band gap, high electron saturation velocity, high thermal conductivity, high critical electric field. 4H-SiC rectifiers such as SBD and JBS, have great potential in energy conversion applications. However, 4H-SiC material gives full play to withstand high voltage, due to curve effect severely. Aimed at solving this problem, this paper achieves a new junction termination structure—multi-step etched JTE and the breakdown voltage of this device is 1200V using this structure by means of reduce surface electric field theory( Resurf theory) and junction termination technology. The main contents of this paper are as follows: Structures of 4H-SiC SBD and JBS power diodes are optimized. Relationships between electrical characteristics and device parameters s

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