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电工电子技术试题库 单项选择题 1.硅稳压管的工作状态是(　　　) A.正向导通 B.正向击穿 C.反向截止 D.反向击穿 2.要得到N型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（ ） A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 3．下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( ) A．仅自由电子是载流子 B．仅空穴是载流子 C．自由电子和空穴都是载流子 D．三价杂质离子也是载流子 4．理想运算放大器的两个基本特点是( ) A．虚地与虚断 B．虚短与虚地 C．虚短与虚断 D．断路与短路 5．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（ ） A．P型半导体，其少子为自由电子 B．N型半导体，其多子为自由电子 C．P型半导体，其少子为空穴 D．N型半导体，其多子为空穴 6．理想二极管构成的电路如题2图所示，则输出电压UO为（ ） A．3V B．10V C．-3V D．-10V 7．关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（ ） A．基区很薄 B．基区掺杂浓度最高 C．发射区掺杂浓度最高 D．发射结的结面积小于集电结的结面积 8．测得某放大电路中的三极管，各管脚电位如题4图所示，则可判定该管为（ ） A．锗管①为b极 B．硅管③为c极 C．锗管②为e极 D．硅管③为b极 9．放大电路如题7图所示，该