VEC2616-TL-H;中文规格书，Datasheet资料.pdf

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2018-10-13 发布于中国
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VEC2616 Ordering number : ENA1822 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs VEC2616 General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance Nch: RDS(on)1=62mΩ(typ.), Pch: RDS(on)1=105mΩ(typ.) • 4V drive • N-channel MOSFET + P-channel MOSFET Speciﬁ cations Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions N-channel P-channel Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 60 --60 V Gate-to-Source Voltage VGSS ±20 ±20 V Drain Current (DC) ID 3 --2.5 A Drain Current (Pulse) I PW 10 s, duty cycle 1% 12 --10 A DP ≤ μ ≤ Allowable Power Dissipation PD When mounted on ceramic substrate (900mm2×0.8mm) 1unit 0.9