基于NOR非易失性存储器设计.pdfVIP

苏州市职业大学电子信息工程系毕业论文(设计)  摘 要 基于浮栅概念的闪存由于其小的单元尺寸和良好的工作性能已经成为最通 用的非易失性存储器。本文着重介绍了基于NOR 的非易失性存储器的设计，分 析了基于 NOR 的非易失存储器的工作原理和应用前景；设计了一个64 位的该 寄存器的电路图和版图；通过对版图和电路图DRC 和LVS 的验证，最终得出了 正确的版图和电路图。本文还阐述了关于版图设计方面的相关知识。 关键词：存储器；非易失性；NOR ；版图设计；DRC I  I   苏州市职业大学电子信息工程系毕业论文(设计)  Abstract The flash based on the concept of the floating gate has become the most general nonvolatile memory because of its small unit size and good working performance. This paper mainly introduced the design of nonvolatile memory based on NOR gate. The working principles and application prospects of the nonvolatile memory based on NOR gate have been detailed analyzed. The schematic and layout of the 64-bit circuit has been designed, which pass through the DRC and LVS, thus verifies the correct designing. This paper also introduces some relevant knowledge about layout design. Keywords: Memory; Non-volatile; NOR; Layout design; DRC II  II   苏州市职业大学电子信息工程系毕业论文(设计)  目 录 第1章 绪论 1 1.1 半导体存储器 1 1.1.1 动态随机存储器（DRAM） 1 1.1.2 静态随机存取存储器（SRAM） 2 1.2 非易失性存储器（NVW） 3 1.2.1铁电存储器(FeRAM) 3 1.2.2磁性随机存储器(MRAM) 4 1.3 浮栅场效应管 5 第2章 基于NOR非易失存储器电路设计 7 第3章 基于NOR的非易失存储器版图设计 9 3.1 版图设计流程 9 3.2 版图设计规则 9 3.2.1 线宽规则 10 3.2.2 间距规则 10 3.2.3 交叠规则 11 3.2.4 延伸规则 11 3.2.5 天线效应 12 3.3 版图验证 12 3.3.1 DRC（Design Rule Check）设计规则检查 13 3.3.2 LVS(Layout Versus Schematic)版图和电路图一致性检查 13 3.4 基于NOR的非易失版