为很多信号检测电路中前放首选。1一般放大器存在问题.PDFVIP

对于众多需要检测的微弱量，如弱光、弱磁、微温度、微电流、微振动、小位移等，通 常都是通过各种传感器做非电量的转换，使检测对象转变为电量（电流或电压）。由于所测 对象本身为微弱量，受各种不同传感器灵敏度的限制，所得到的电量还是小信号，一般不能 直接用于采样处理。在信号检测的电路设计中，一般信号都需要经过一级或 多级的前置放 大。此时的信号中所包含的噪声包括 2 个方面：一是来自电路检测系统的外部，例如市电 干扰、温度涨落、以及宇宙射线等，克服这类噪声的办法是采用严密的电磁屏蔽；二是由于 前置放大所带来的噪声，这类噪声不能通过屏蔽的办法克服，只能通过选用性能优越的前置 放大器以及低噪声设计电路来使噪声影响最小，其中性能优越的放大器是其中的关键。 AD855x 系列是由 AD 公司生产的低噪声、零漂移、单电源的放大器。其优越的性能使其成 为很多信号检测电路中前放的首选。 1 一般放大器存在的问题 图 1 为一般的放大电路，图中 ES 为信号源，E1/f 为半导体的低频噪声，VOS A 为放 大器的固有偏置，VOUT 为输出信号，A 为放大倍数。可以计算输出信号为： 由式（1）可见，在放大信号的同时，放大器的低频率噪声和固有偏置也同时得到放大， 这就大大减小了信噪比，特别在所要检测信号为极小的微弱信号时，经前置放大后的信号根 本无法使用。 传统的解决办法如图 2 所示，在电路中加入开关 A ，B。开关一般由单片机等逻辑电路 控制，当 A 关，B 开时，输出为式（1），当A 开，B 关时，输出为： 则经过调偏后的放大信号： 式中，T 为开关转换的周期。这种办法可以很有效地抑制低频及偏置噪声，但是由于需 要外部的逻辑控制电路，这就增加了电路中的元器件以及在控制上的困难，而且要得到很好 的抑制就需要很高的控制频率，这都使得这种方法在很多时候并不可行。AD855x 系列放大 器解决了这些问题，使其成为低频微弱信号检测前置放大器的首选。 2AD855x 系列的性能特点 AD855x 系列包括的 AD8551 ，AD8552 ，AD8554 分别为 1，2，4 通道的放大器。AD855x 系列是 CMO S 结构的高精密度 railtorail 放大器。只需 5 V 或 2.7 V 单电源供电。小于 1 μV 的电压偏置使其可以设定为很大的增益而不会带来大的输出电压误差。极小的电压温度偏移 （5nV/℃）使其工作在-40~+125 ℃只会有一个很小的电压偏置。 (1) AD855x 系列的结构 AD855x 系列放大器内部都是由 2 个放大器组成，一个主放大器和一个从放大器，主放 大器对信号进行放大，从放大器用来调整主放大器的偏置电压，其结构如图 3 所示。 (2) AD855x 系列的放大原理 在图 3 中，VIN+ ，VIN-为差分输入信号，VOSA ，V OSB 分别为 A ，B 放大器的固有 偏置，AA ，AB 分别为 A ，B 放大器的增益系数，BA，BB 分别为 A ，B 放大器的偏置增益 系数，M，N 开关的状态决定放大器 2 个工作阶段:偏置调整阶段和放大阶段。 M 关，N 开，放大器处于调整偏置阶段，由图 3 可得： M 开，N 关，放大器处于放大输出阶段，由图 3 得： 由于 TS 远小于 VOSA,VOSB 的变化时间，可认为在TS 时间内 V OSA,VOSB 不变， 可得： AD855x 系列采用最优化设计，即 AA=AB ，BA=BB1 因此上式可化简为： 由式(11)可见，AD855x 系列放大器对信号的放大倍数为 AAAB ，而对放大器固有偏置 （VOSA+VOSB ）的放大倍数仅为AA 。由此可见，使用A D855x 系列放大器只会带来极 小的放大器固有偏置。 (3) AD855x 系列的低频噪声特性 低频噪声由于其功率谱密度遵从 1/f 变化，所以又称 1/f 噪声。这种噪声十分普遍，不 仅存在于电子管，半导体管，二极管和电阻中，也存在于热敏电阻，碳拾音器和光源中。在 半导体器件中，1/f 噪声主要是由半导体材料表面性质所引起的。表面能态中载流子的激励 和复合，以及表面状态密度等是影响 1/f 噪声的主要因素。一般的放大器在低频工作时会带 来很大的低频噪声影响，AD855x 系列放大器的另一大优点就是对低频噪声的抑制。由于 AD855x 系列放大器有自动偏置调整的功能，半导体管带来的低频噪声会像对待固有偏置一 样加以抑制。这使得 AD8