二氧化硅薄膜淀积.pdfVIP

1 6.4 二氧化硅薄膜的淀积 6.4.1 CVD-SiO 特性与用途 2 1、分类  按掺杂划分：本征SiO2 （USG）、PSG、BPSG薄膜；  按温度划分：低温工艺（200~500 ℃ ）和中温工艺 （500~750 ℃ ）；  按淀积方法划分：APCVD-SiO 、LPCVD-SiO 、PECVD-SiO ； 2 2 2  按硅源划分：SiH /O 或N O、TEOS(正硅酸乙酯Si(C H O) ）/ O 或O 、 4 2 2 2 5 4 2 3 SiH Cl /N O。 2 2 2 2 2、特点、用途及要求  与热氧化SiO 的理化性质相比略有差异，随着工艺温度降低，密度下降，耐