三维芯片测试技术研究进展.PDFVIP

第 8 卷第 2 期 信息技术快报 Vol.8 No.2 Information Technology Letter Mar. 2010 三维芯片的测试技术研究进展 韩银和，张磊，李晓维 摘要： 本文分析介绍了三维芯片测试的最新进展，首先介绍三维芯片设计技术，通过对该技术的剖析， 分析其当前面临的主要挑战：新型硅直通孔故障、不完整电路测试问题、绑定前后测试协同优化问题等。 本文对国际上目前已经提出的多种方法进行了分析，并预测了未来的一些研究点。 关键词： 三维芯片，晶圆，硅直通孔，扫描链，测试访问机制 1 引言 三维芯片设计通过垂直集成大大提升了芯片的集成度，成为当前半导体产业发展最快的 技术之一，被认为是一种延续摩尔定律增长趋势的新方法，也有专家认为它将发展成为一项 [12] “超越摩尔定律”的设计技术 。三维芯片设计不同于以往平面设计方法，它可以将多个 晶片(die)通过硅直通孔（TSV, Through Silicon Via ）