微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究-微电子学.PDFVIP

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2018-11-17 发布于天津
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微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究-微电子学.PDF

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微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究-微电子学

第卷第期微电子学 , 47 5 Vol.47 No.5 年月 2017 10 Microelectronics Oct.2017 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究 , , , , , , 1 2 1 2 1 2 1 3 1 3 1 3 黄洛俊 ,康恒 ,程嵩 ,李勇滔 ,夏洋 ,景玉鹏 ( , ; , ; 1.中国科学院微电子研究所北京 100029 2.中国科学院大学北京 100049 , ) 3.集成电路测试技术北京市重点实验室北京 100088 : 摘要针对半导体工艺中去离子水的表面张力导致显影干燥过程中光刻胶纳米线条容易发生 , , 。 , 倒伏的问题采用了微波干燥方法以抑制光刻胶纳米线条倒伏利用微波的热效应和非热效应 , 、 , 降低去离子水的表面张力使光刻胶纳米线条上的去离子水均匀快速地蒸发有效抑制了光刻胶。 , 、纳米线条的倒伏与氮气干燥处理的传统方法相比该方法能使高宽的光刻胶纳 130nm 15nm , 。 , 。米线条不发生倒伏效果明显这表明该方法是可行和有效的 : ; ; ; ; 关键词微波干燥光刻胶纳米线条表面张力倒伏水分子团簇中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN305.7 A 1004-3365201705-0718-05 ResearchonSu ressin theCollaseofPhotoresistNanowiresb pp g p y MicrowaveDrin Process y g , , , , , , 1 2 1 2 1 2 1 3