【精编】1 信息材料.pptVIP

* 制造第二阶段：切割晶圆 横向切割硅锭成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆（Wafer） * 制造第三阶段：光刻过程 在晶圆旋转过程中浇上光刻胶液体，固化 光刻胶层随后透过掩模（Mask）被曝光在紫外线之下，变得可溶 ——掩模上印着预先设计好的电路图案。 紫外线透过掩模照在光刻胶层上，就会形成一层包含数亿个晶体管的电路图案 ——由此进入50~200 nm尺寸的晶体管级别。 * ——图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。 ——晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。 * 制造第四阶段：光刻胶的使命 * 溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致 蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分 清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案 * 制造第五阶段：离子注入 * 光刻胶：再次浇上光刻胶（蓝色部分），然后光刻，并洗掉曝光的部分 ——剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。 离子注入：用金属离子在电场之内加速，轰击硅片表面 ——由于速度很快，能量很高，离子能够直接进入硅内部，从而改变局部导电性。 清除光刻胶：离子注入完成后，清除光刻胶 * 制造第六阶段：沉积二氧化硅绝缘层 * 制造第七阶段：电镀晶圆 * 继续使用掩模光刻技术，在绝缘层（品红色）上蚀刻出三个孔洞 电镀：铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层，那些孔也被使铜填满 ——三个孔洞填充铜，以便和其他晶体管互连。 * 制造第八阶段：抛光处理 将多余的铜抛光掉，留下晶体管的三个接触点 * ——新一代CPU可以达到20层甚至更多的电路。 重复进行掩模光刻、电化学沉积、精密抛光步骤，在不同晶体管之间形成复合互连金属层 * 制造第九阶段：晶圆切片 * 晶圆测试：使用参考电路图案和每一块芯片进行对比 晶圆切片：将晶圆切割成块，每一块就是一个处理器的内核 丢弃瑕疵内核：测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步 * 制造第十阶段：封装 衬底、内核、散热片堆叠在一起，就形成处理器 衬底（基片）相当于底座，并为处理器内核提供电气与机械界面，便于与PC系统其他部分交互 散热片负责内核散热 * 2. 其他常温半导体材料 锗是具有灰色金属光泽的固体，常温下化学性质稳定，是重要的元素半导体材料之一 1948年，诞生了第一只锗晶体管，在晶体管初期发展时代锗曾为晶体管的主要原料 （1）锗材料 ——到20世纪60年代中期才逐步被硅所代替。 * 锗的载流子迁移速率比硅高 相同条件下具有较高的工作频率、较低的饱和压降、较高的开关速度和良好的低温性能 锗半导体材料特点 ——可作为雪崩二极管、高速开关管以及高频小功率三极管等。 锗还具有优良的红外光学性能，可做为红外窗口和透镜、低温红外探测器及低温温度计等 ——1984年，美国已把锗作为战略储备材料。 * （2）砷化镓GaAs 由于Ga是周期表中第IIIA族元素，As是第VA族元素，所以称GaAs是III-V族化合物半导体 GaP、InP等也是III-V族化合物半导体，这些材料具有优良的半导体特性 ——GaAs和InP是微电子和光电子的基础材料，具有电子漂移速度高、耐高温、抗辐照等特点。 * 电子在GaAs中运动速度比Si中快6~7倍，GaAs晶体管开关速度比硅晶体管快1~4倍 III-V族化合物半导体的应用 ——成为微波通信、军事电子技术和卫星数据传输系统的关键部件。 在高频通信信号放大、光探测等方面，GaAs晶体管也有重要应用 InP具有比GaAs更优越的高频性能 ——在超高速、超高频、低功耗、低噪声器件和电路，特别光电器件和光电集成上有独特优势。 * 3. 高温半导体 半导体Si器件工作温度一般不超过200℃ 军事工业、飞机发功机和宇航等产业要求研制在500~600℃范围内工作的电子器件 为提高半导体器件工作温度，应选禁带大，高温性能稳定的SiC高温半导体材料 ——其能隙宽度在2.39~3.33 eV的范围内变化。 * 湿敏传感器 * 电压敏感陶瓷是指具有非线性伏安特性，即电阻值对电压变化敏感的半导体陶瓷： 7. 压敏材料 它在某一临界电压以下，电阻值非常高，几乎没有电流通过 但是当外加电压超过这个临界电压时，电阻将急剧变小，并且有电流通过 随着电压的少量增加，电流增加会很快 ——种类很多，主要有ZnO、SiC、BaTiO3等。 * 应用领域：大量应用于电气设备的过流（过压）保护电路以及避雷器等 ——一般被制成压敏电阻使用。 * 二、信息存储材料 信息存储材料是指用来制作各种信息存储器的一些能够记录和存储信息的材料 在外加物理场如电场、磁场、光照等的影响下，材料发生物理或