硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究!-物理学报.PDFVIP

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硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究!-物理学报

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ # %##’ # , , , OM- )’ YM ) # ZI+M3/0 %##’ ( ) ###1(%K#S%##’S’ # S?%@1#K TU7T VWX*PUT *PYPUT #%##’ U[,9 ) V[\F ) *MI ) ############################################################### 硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学研究! 乔永红 王绍青! (中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳 ##$ ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) %## $ % %##’ ( % 采用分子动力学方法模拟研究了硅晶体中的空位和间隙原子的结合过程 研究中采用了 三体 ) *+,--,./012/3/0 经验势描述原子间的相互作用,系统分别在低温 和高温 进行弛豫 计算中发现空位和间隙原子倾向 (##4 ##4 ) 于通过 方向结合,而 方向上存在着势垒 通过势垒值的计算,对 和 势垒计算值的差 5 6 5 # 6 ) 789. :8;8=, 异进行了解释) 关键词:分子动力学,空位与间隙原子,扩散 : , , !## $?’ $@#A $$(#B [ ] % 方面, 等 在 年第一次用紧束缚分子动 789. KK@ J 引 言 力学模拟了硅晶体中空位和哑铃型自间隙原子在 [ ] ( 的结合过程 其后, 等 于 年报 (##4 )

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