(5)角位移测量仪 角位移测量仪其结构如图所示。 * * 4.9 霍尔式传感器 霍尔传感器是利用半导体材料的霍尔效应进行测量的一种磁敏式传感器,一般由锗、硅、锑化铟、砷化铟等半导体材料制成。 它可以直接测量磁场及微位移量,已经广泛应用于电磁、压力、加速度、振动等的测量领域。 目前霍尔传感器已从分立元件发展到了集成电路的阶段,正越来越受到人们的重视,应用日益广泛。 1) 霍尔效应 在与磁场垂直的N型半导体薄片上通以电流I,由于N型半导体的载流子为电子,因此电子将沿与电流相反的方向运动。由于洛仑磁力的作用,电子发生偏转,一侧形成电子累积,另一侧形成正电荷累积,于是元件的横向便形成了电场。该电场阻止电子继续向侧面偏移,当电子所受电场力 与洛仑兹力 相等时,电子的累积达到动态平衡。这时在两端横面之间建立的电场称为霍尔电场 ,相应的电势称为霍尔电势 N型半导体薄片 h 为霍尔片的灵敏度系数 经过分析: 2)霍尔元件的应用 根据霍尔输出与控制电流和磁感应强度的乘积成正比的关系可知,霍尔元件主要用在下述三个方面: 1)保持元件的控制电流恒定,则元件的输出正比于磁感应强度。因此,可以测定恒定和交变磁感应强度,如高斯计;同时凡是能转化为磁感应强度变化的量都能进行测量,如位移、角度、转速和加速度等。 2)保持元件感受的磁感应强度不变时,则
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