光学测量基础知识.ppt

参考书目 范志刚,光电测试技术,电子工业出版社,2008 苏大图，光学测试技术，北京理工大学出版社，1996 杨国光，近代光学测试技术，浙江大学出版社，1997 张琢，范志刚，激光干涉测试技术及应用，机械工业出版社，1998 孙长库，叶声华，激光测量技术，天津大学出版社，2001 殷纯永，现代干涉测量技术，天津大学出版社，1999 汤顺青，色度学，北京理工大学出版社，1991 若将四象限光电二极管固定在M处，则： 为了便于判断物点S0是否在焦点位置，我们引入一个量 由v的正负可测得物点是远离了还是靠近了，其幅值大小反映微位移量的大小． 相应的处理电路原理图为： 这种微位移测量方法已用于照相系统自动调焦、激光唱盘跳动量测量等 下图为用于集成电路芯片制造中的芯片自动调焦。右图为测量激光唱盘的跳动量的原理图。 CCD图像传感器 CCD(Charge-coupled device)为电荷耦合器件的简称。 自从1970年由美国比尔实验室发明以来，取得了惊人的进展，由于它具有体积小、重量轻、较高的空间分辨率、坚固等特点，已广泛应用于图像传感、信号处理、数字存储等领域。 电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号，而不同于其他大多数器件是以电流或者电压为信号。 CCD的基本功能是电荷的存储和转移。因此，CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测。 一、工作原理 1.MOS光敏元的工作原理 CCD有两种基本类型： 一是电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输．这类器件称为表面沟道（简称SCCD）； 二是电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内、并在半导体体内沿一定方向传输．这类器件称为体沟迈或埋沟通器件(简称BccD)。 下面以SCCD为主讨论CCD的基木工作原理： 对于电子而言，耗尽区是一个“势阱”，且电压U越大，“势阱”越深，而空穴则被电场排除出“耗尽区”。 注意：当栅极电压突变为高电压，轻掺杂半导体中的电子很少，一般不能形成反型层，此时势阱将进一步向体内延伸。 当在金属电极上加正向电压U时，在虚线区将形成“耗尽区”。 如果有光束入射到光敏单元内，将形成电子－空穴对，电子就集聚在势阱中，其数目和光照时间和强度成正比。 这样的一个MOS单元就叫作光敏单元或一个像素，一个势阱所收集的电荷合起来叫作一个电荷包。 单个光敏单元是没有实用意义。通常在半导体硅片上，制有成百上千个相互独立的MOS光敏单元，如果这时入射到该器件上的是一幅明暗起伏的图象，那么在各光敏元相应的耗尽区中，将产生对应的电荷图象。因而得到影像信号。 2.移位寄存器 与上述类似的MOS结构也可做为移位寄存器使用。 区别之—：因用途不同而不能使它受到光照，以防止外来光线的干扰； 区别之二：是因移位的需要，在各电极上应施加须定变化的电压。 MOS结构的移位寄存器的工作原理如图所示。 以上移位寄存器以三个MOS电容器构成一个移位单元，由于需要三路驱动信号，才能完成移位操作，故采用该种移位寄存器的CCD称为三相CCD。 下面来看，在驱动电压Ua、Ub、Uc的驱动下，电荷包是如何转移的。 3.线阵CCD 欲完成摄像和传输两项功能的器件，应由接收并转换光信号为电信号的光敏区和移位寄存器按一定方式联合组成。 线阵CCD传感器的工作原理如图所示： 光敏单元、转移栅、移位寄存器三者之间各时刻势阱变化情况如图。 时序脉冲关系 以上介绍的是三相驱动、单边读出的线阵CCD结构。这只是这类器件工作方式的一种，实用中的CCD常采用下面的结构。 二、CCD的基本性能参数 1、电荷转移效率 表征器件转移电荷包能力的参数，为电荷包在进行依次转移时实际传输到下下一电极的电荷量与原有电荷量的比值。 2、总电荷转移效率 在器件包含的有效光敏元中，位于最远离输出端的光敏元受光后产生的电荷包经n次转移后到达输出端时，其电荷量Qn与原有电荷Q0的比值。 3) 光伏探测器 属内光电效应，是半导体受光照射产生电动势的现象。它与光电导效应不同之处，在于需要一种将正、负载流子在空间上分离的机制—内部势垒。通常用p-n结来实现这种效应。 P-n结产生光伏效应的原理： 当入射光在p—n结附件产生电子－空穴对时，光生载流子受在内建电场的作用下，电子漂移到n区，空穴漂移到p区。 如果在外电路中把p区和n区短接，就产生短路信号电流；假如外电路开路，则光生电子在n区积累，光生空穴在p区积累，两端便产生电动势。 在不加偏置电压下也能工作，此时即为通常所说的光电池。 主要特点:是工作时不需外加偏压，接收面积大，使用方便；缺点是响应速度低。 光电池除了作为光电探测