对多晶硅纳米薄膜电学修正特性的研究-集成电路工程专业论文.docxVIP

Classified Index: TN432 U.D.C.: 621.3.049.774 Dissertation for the Masters Degree of Engineering RESEARCH ON ELECTRICAL TRIMMING CHARACTERISTICS OF POLYSILICON NANOFILMS Candidate： Xuan Wu Supervisor： Prof. Xiaowei liu Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Integrated Circuit Engineering Affiliation： Department of microelectronic Science and technology Date of Defence： June, 2010 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 摘要 摘 要 - - I - 摘 要 多晶硅纳米膜凭借其优良的压阻特性及温度稳定性可广泛应用于压阻式传 感器。对于基于惠更斯电桥结构的传感器，电阻的精度和桥臂电阻的匹配性直 接影响着传感器零点输出，测量精度和温度稳定性。但是，由于在加工过程中 存误差，电阻值通常偏离设计的要求，因此在封装之后对电阻进行调节是十分 必要的。而电学修正是一种有效的在封装之后调节电阻的方式，因此本课题主 要研究多晶硅纳米薄膜的电学修正特性。 样品 的制备， 利用 LPCVD 的方 法在热的 二氧化 硅衬底上 淀积不 同膜厚， 不同 掺 杂浓 度 和 不 同 淀 积温 度 的 多 晶 硅 纳米 薄 膜 。 用 扫 描电 镜 ， X 射线 衍 射 仪和 透射电子显微镜对多晶硅纳米薄膜进行表征，分析晶粒的微观结构。然后 通过施加高于阈值电流密度的直流电流，对不同淀积温度、不同膜厚以及不同 掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜电学修正特性进行测试，并分析电学修正对压阻特 性以及温度特性的影响。 本文 用 填 隙 原 子 空 位 （ IV ）对 模 型 对 电 学 修 正 现 象 加 以 解 释 ， 这 种 模 型 认为 电学 修正 现象是 在大 电流 激励下 产生 焦耳 热使晶 界处 IV 对发 生重 结晶 。 用 IV 对模型可以对电学修正现象有一个更加全面的解释。 实验 结 果 表 明 ， 薄 膜 的 结 晶 度 和 晶 粒 尺 寸 是 决 定 电 学 修 正 特 性 的 关 键 因 素； 随着掺杂浓度的提高，电学修正的精度不断提高而修正速率却有所减小； 直接 淀 积 的 多 晶 硅 纳 米 薄 膜 比 重 结 晶 的 多 晶 硅 纳 米 薄 膜 修 正 精 度 高 、 稳 定 性 好，因此通过优化淀积温度可以减少晶粒间界的无定形态，从而改善多晶硅纳 米薄膜电学修正特性。 本文通过实验和理论的分析，找到应用于压阻式压力传感器的最合适的工 艺参 数 ， 即 多 晶 硅 纳 米 薄 膜 的 膜厚 为 90nm ，掺 杂 浓 度 3.0×1020cm -3 ，淀 积 温 度为 620 ℃。 关键词： 多晶硅纳米薄膜；电学修正；填隙原子空位对模型 - - II - Abstract Due to their favorable piezoresistive properties and good temperature stability, polysilicon nanofilms have been applied in piezoresistive sensing devices. For sensors with Wheatstone bridge structure, the resistance accuracy and matching of bridge resistors are significant ingredients determining the zero-point output, measurement accuracy and temperature stability. However, the values of the resistors usually deviate from the design values due to the fabrication process error. Thus, it is indispensable to adjust the resistance deviation and mismatch after fabrication. But the electric