场效应管自动测试技术及其软硬件实现-检测技术与自动化装置专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 FET AUTOMATIC TEST TECHNOLOGY AND ITS SOFTWARE AND HARDWARE IMPLEMENTATION A Master Thesis Submitted to University of Electronic Science and Technology of China Major Testing Technology and Automatic Equipment Author: Song Xinli Advisor: Prof. Ma Lixiang School: School of Automation Engineering I 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研 究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他 人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构 的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均 已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 II 摘 要 摘 要 由于场效应管具有功耗低的特点，伴随着对产品低功耗的重视，场效应管应 用越来越广泛。而作为产品中生产过测试主要分为两个过程：芯片封装前测试和 芯片封装后测试。这两个测试过程更费时，测试成本也大。而作为芯片封装后测 试的产品电参数测试，对保障产品的功能、质量具有重要作用。 本文首先介绍了课题研究背景、场效应管测试系统组成和国内外场效应管测 试系统现状。而后主要分析了场效应管开启电压、夹断电压、栅极漏电流、源极 漏电流，饱和漏电流、导通电阻、跨导等常用参数测试方法，设计出测试流程图。 在此基础上，提出测量适配器设计方案，其主要利用 CPLD 控制的继电器矩阵完 成测试电路的搭建、测试资源的接入。同时，由于测试漏电流电流值为 nA 级， 不适于长距离传输，所以在测试板上进行 I/V 变换并放大后，送给测量通道处理； 其次，为测量适配器编写了驱动函数，使核心板能够通过总线控制 CPLD 动作； 最后，把功能板驱动进行封装，减少驱动函数传入参数，方便测试指标函数编写。 根据 N 沟结型道场效应管、P 沟道结型道场效应管、N 沟道增强型场效应管、P 沟道增强型场效应管特点分别编写了常用指标测试函数。把他们编译成静态成库。 由于库函数无法运行，所以需要编写帮组文档，说明库中函数功能、传入参数、 返回值。最后，对测量适配器进行了调试和测试指标函数的测试，测试结果表明， 场效应管测试指标函数功能正确，能完成测试指标的测试。 本文所设计的测试指标函数能大大加快场效应管生产厂家测试程序的开发， 同时优化后的测试流程能大幅度缩短参数测量时间，有利于降低测试成本。 关键词：场效应管，测试方法，测量适配器，漏电流处理，测试指标函数 I ABSTRACT ABSTRACT FET with low power consumption, along with the emphasis on low power consumption of the products, the FET more and more widely. Produced as a product test is divided into two processes: chip package test after test and chip packaging. These two test procedure is more time-consuming, consumption is also large. As a test of the electrical parameters of the test chip package, to the protection of the products features, quality plays an important role. This paper introduces the research background, the FET test system and the FET test system status