材料科学基础_第三章_晶体缺陷(六).pptVIP

(2) Frank不全位错 (Frank partial dislocation): 负Frank不全位错—抽出型 正Frank不全位错—插入型 b = a/3111，纯刃型，伯氏矢量垂直于层错面 弗兰克不全位错的形成：在完整晶体中局部抽出或插入一层原子所形成。（只能攀移，不能滑移。）? 抽去一层密排面形成的弗兰克不全位错 Negative（负） Frank positive Frank intrinsic stacking fault extrinsic stacking fault 内在 4. 位错反应(dislocation reaction) ： 位错间的相互转化(合成或分解)过程。 位错反应满足条件： (1) 几何条件 伯氏矢量守恒性，即： (2) 能量条件 反应过程能量降低 即： 4. 位错反应 (1) Thompson四面体Thompson’s tetrahedron 利用Thompson四面体可确定FCC结构中的位错反应。 5. FCC晶体中的位错 四面体的4个面即为4个可能的滑移面： 四面体的6个棱边代表12个晶向，即为面心立方晶体中全位错12个可能的伯氏矢量。 每个面的顶点与其中心的连线代