数字逻辑（罗勇军）第四章教学材料.pptVIP

4.4 FLASH存储器 FLASH存储器也译成闪速存储器，它是高密度非易失性的读／写存储器。它既有RAM的优点，又有ROM的优点。 闪速存储器中的存储元，由单个MOS晶体管组成： 漏极S和源极D，控制栅和浮空栅。 4.4 FLASH存储器 FLASH存储器的基本操作 4.4 FLASH存储器 FLASH存储器的阵列结构 4.5 存储器容量的扩充 4.5.1 字长位数扩展 给定的芯片字长位数较短，不满足设计要求的存储器字长，此时需要用多片给定芯片扩展字长位数。 方法：地址线和控制线公用，而数据线单独分开连接。 所需芯片数：设计要求存储容量除以已知芯片存储容量。 4.5.1 字长位数扩展 例：利用64K×8位ROM芯片，设计一个64K×16位的ROM。 解：两个芯片的地址总线公用，控制总线也公用，而数据线分成高８位和低８位。? 4.5.1 字长位数扩展 例：SRAM字长位数扩展 4.5.2 字存储容量扩展 给定的芯片存储容量较小，不满足设计要求的总存储容量，此时需要用多片给定芯片来扩展字数。 方法：数据总线和低位地址总线公用，控制总线中R/W公用，使能端EN不能公用，它由地址总线的高位段译码来决定片选信号。 所需芯片数：设计要求存储容量除以已知芯片存储容量。 4.5.2 字存储容量扩展 例：DRAM存储容量扩展。 固态硬盘简介 （Solid State Disk或Soli