掺杂型镧锰氧化物的制备及其红外发射率研究-材料加工工程专业论文.docx

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掺杂型镧锰氧化物的制备及其红外发射率研究-材料加工工程专业论文

南京航空航天大学博士学位论文 南京航空航天大学博士学位论文 掺杂型镧锰氧化物的制备及其红外发射率研究 掺杂型镧锰氧化物的制备及其红外发射率研究 I I PAGE PAGE IV 摘 要 任何材料在一定温度下均存在红外发射率。根据斯忒藩-玻尔兹曼定律 E=σεT4 可知,红外 发射率是影响物体红外辐射能量大小的重要因素,发射率越大,物体向外辐射的能量也就越大。 碱土金属掺杂的镧锰氧化物不仅具有优良的庞磁电阻效应,同时伴随有金属-绝缘态转变和相应 的铁磁-顺磁转变。由于金属具有较低的发射率,而绝缘体具有较高的发射率,因此这种具有金 属-绝缘态转变的镧锰氧化物,其发射率就会随着温度的变化而自主地发生变化,作为一种新型 的热控材料有着广阔的应用前景。本论文以掺杂型镧锰氧化物为研究对象,鉴于其 ABO3 型结 构与性能的密切关系,从调整镧锰氧化物 ABO3 结构掺杂出发,对不同掺杂体系镧锰氧化物的 红外发射率特性及其变化规律作一些有益的探索,并在此基础上进一步提高镧锰氧化物的可变 发射率性能。重点研究了 A 位二价离子掺杂体系 La1-xSrxMnO3 和 La1-xCaxMnO3,A 位一价离子 掺杂体系 La1-xNaxMnO3 和 La1-xKxMnO3,A 位离子缺位体系(La0.8Sr0.2)1-xMnO3,B 位离子掺杂体 系 La0.8Sr0.2Mn1-xCuxO3 和 La0.8Sr0.2Mn1-xTixO3 体材料的红外发射率特性,以现代分析手段从多方 面对不同离子价态、不同位置、不同形式掺杂样品的红外发射率与结构、电磁特性、红外吸收 特性之间的相互关系进行了系统的研究,确定了合适的热控制材料体系及其适用范围,利用离 子缺位成功地提高了可变发射率性能,对镧锰氧化物 ABO3 结构掺杂与红外发射率的若干关系 作了探讨,在以上研究基础上对镧锰氧化物薄膜和涂层的红外发射率特性进行了初步研究。 1. 分别制备了 A 位二价 Sr 和 Ca 离子掺杂样品,首次系统地研究了不同掺杂浓度、温度、 波段、表面粗糙度和晶格结构对样品发射率的影响,以及可变发射率性能与波段的对应响应问 题。掺 Sr 样品呈菱方相结构,但随着掺杂浓度的增大,Mn3+离子迅速减少导致体系晶格结构向 高对称性转变为立方相;掺 Ca 样品呈立方相结构。由于 Mn3+-O-Mn4+之间的双交换作用,掺 Sr 样品的导电性和铁磁性随着掺杂浓度的增大而增强,发射率减小;由导电性与磁性能的密切 相关性得出,发射率不仅与导电性相关,与磁性能也有关系,并且铁磁性越强,发射率越低。 掺 Ca 样品的导电性随着掺杂浓度的增加呈现出先增大后减小的趋势,但是由于铁磁性一直增 强,轨道有序作用使样品中出现了铁磁-绝缘相,发射率减小。由此推断得出,镧锰氧化物铁磁 性对发射率的影响大于导电性的影响。对于镧锰氧化物体材料,表面粗糙度对发射率影响不大。 为了研究晶格结构对红外发射率的影响,分别用固相反应法与溶胶凝胶法制得菱方相与正交相 样品,发现不同晶格结构样品的发射率特性明显不同。由于金属-绝缘态转变,Sr 掺杂浓度 x=0.2 样品在 8~14 μm 波段的发射率随温度出现了突变现象,在 288~373 K 之间的变化值为 0.13,计 算得出 328 K 时其向外辐射能量达到 536.8 W/m2,辐射性能提高 18 %,但是在 3~5μm 波段不 存在可变发射率性能。Ca 离子掺杂样品的发射率在 288 K~373 K 之间逐渐减小。因此,Sr 掺杂 浓度 x=0.2 样品作为在 8~14 μm 波段的热控制材料有潜在的应用前景。 2. 采用一价 Na 离子和 K 离子分别替代 La 离子,发现一价离子在钙钛矿结构中的溶解度 较低,离子很难融入晶格中。一价离子掺杂使体系转变为顺磁态,电子自旋共振波谱强度随掺 杂浓度的增大而减小,表明样品中不成对电子浓度减小,从而降低了轨道跃迁几率,发射率减 小。由于自发极化增强了偶极矩的振动,在 8~14 μm 波段出现了新的红外吸收峰。磁性能的降 低与 8~14 μm 波段的红外吸收使一价掺杂样品的发射率偏高,K 掺杂样品的发射率大于 Na 掺 杂样品的发射率,并且一价掺杂样品的发射率在 288~373 K 之间随着温度没有明显变化。因此, 一价掺杂体系不适合作为热控制材料。 3. 首次研究了 A 位离子缺位体系的红外发射率特性,并成功制备出发射率变化差值较大的 样品。由于 A 位缺位量的增加造成空间结构的变化以及所产生的内应力,体系中电子-声子散 射和磁散射增强,导电性和铁磁性减小。同时,畸变的晶格导致体系在 8~14 μm 波段出现新的 红外吸收。然而体系的发射率呈现出先增大后减小的趋势,当缺位量 x=0.2 时,样品的发射率 最大,

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