立项报告一种太阳能单晶炉拉制N型晶棒方法研究.pptVIP

试验原理： 对于硼掺杂的直拉法太阳能电池片，当它暴露在阳光下，电池性能会 衰减，并最终达到一个稳定的效率，这就是光照衰竭效应。其形成原 因是直拉硅材料中的替位硼和间隙氧在光照下会形成硼氧复合体，降 低少数载流子的寿命和扩散长度，从而导致电池片转换效率变低。经 过实验证明，以磷掺杂的N型直拉单晶硅片没有出现光照衰竭效应。 实验目标： 同掺硼硅单晶的生长工艺相同拉制N型晶棒。 1、对规模化制备拉制N型硅单晶进行实际操作的先期验证； 2、验证N型硅单晶的电阻率控制； 3、检验电池片转换效率的衰减。 各项参数指标： ①电阻率：n型（1-6） 《注：因磷分凝系数较小，所以晶棒电阻波 动较大》; ②氧含量：O≤20ppma ;少子寿命： τ≥1000μs； ③其他尺寸、外观、性能与原要求一样； 拉晶过程中注意事项： ① 多晶硅的选用，由于其掺杂特性，选用的电子级多晶硅。 ② 电阻率控制，由于磷的分凝系数只有0.35，小于硼的0.65，导致晶棒 电阻率波动较大，为了是拉制晶棒电阻率均匀性，设定参数需头部拉 速偏高，尾部偏低（克服重力效应和蒸发效应）。 ③ 选用保温性能好的进口碳毡。 ④ 投料量暂定120kg。 onbianyuan@163.com 立项报告：太阳能单晶炉拉制N型晶棒的方法研究 1、立项依据 2、实验内容 3、具体实施 4、数据统计及分析 5、试验结论 一、立项依据 从理论上来讲，不管是硼掺杂的P型硅片或是磷掺杂的N型硅片都可以用来制备太阳电池，但是目前世界上大部分的晶体硅太阳电池生产厂家都采用硼掺杂的P型硅片生产太阳电池。原因是N型硅片制备的太阳电池开路电压和填充因子较低，并且N型硅太阳电池在长期使用或存放时性能会有所退化;而在P型硅片上形成N+发射结比在N型硅片上形成P+结在工业化生产中更容易实现。近年来随着科技的发展，原来困扰N型硅太阳电池的技术难题逐渐被攻克，而且目前主流的工业化生产的P型硅太阳电池效率已经可以稳定在18%以上，要想在不增加成本的情况下进一步提高已非常困难，于是人们开始把目光投向少数载流子寿命比P型硅高得多的N型硅，并取得了很大的进展。 N型硅片的优点 ： ① P型硅太阳能电池具有转换效率高，技术成熟等优点，占有世界太阳能电池产量的绝大部分。但在制造过程中，扩散制结工艺需要在温度约1000℃进行，工艺复杂、成品率低的缺点，而N型硅太阳能电池生产工艺可在200℃以下进行，符合低成本、高产量、高效率的要求； ② 相同电阻率的N 型硅片的少数载流子寿命比P 型硅片高。（注：少数载流子寿命反映了太阳能电池表面和基体对光生载流子的复合程度，即反映了光生载流子的利用程度，少数载流子寿命越高，太阳能电池的短路电流、开路电压也会提高。是太阳能电池设计、生产的重要参数，但其会受到高温处理过程的影响）； ③ N型硅片对金属污染的容忍度要高于 P 型硅片。 二、试验内容 三、具体实施 整个拉制N型晶棒及切片在顺风光电实施 ，试验原料使用德国瓦克多晶硅原料，参数使用原来参数。共拉制了两炉： N型8寸单晶H-02-1206-29-1 N型8寸单晶H-02-1206-29-2 投料量都为120Kg。 *