三极管三种状态ppt.pptVIP

/ 电子技术论坛 电子发烧友 当UCE≥1V时， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 但UCE再增加时，曲线右移很不明 显。非平衡少子大多数到达 集电极，集电极电流随集射极 电压无明显变化，此时三极管 内部反馈很小（见输出特性）。 图 共射接法输入特性曲线 输出特性曲线是以IB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明， 当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当uCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如： uCE 1 V UBE=0.7 V 则：uCB= uCE- uBE =0.3V 0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由uCE决定。 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V UBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后uCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与uCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随uCE增大而右移的 原因是一致的) 。 输出特性曲线三个区域的特点: * 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 图 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - ?vI +?vBE ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 20 uA ?vO = -?iC? RL = -0.98 V， ? = 0.98 使 iB=f(uBE)? UCE=const (2) 当UCE 0V时， uCB= uCE - uBE0，部分非平衡少子形成集电极电流 基区复合减少，同样的uBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当UCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 一. 输入特性曲线 1.3.3 BJT的特性曲线 （以共射极放大电路为例） 饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏。 iC=f(uCE)? IB=const 二. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 1.3.3 BJT的特性曲线 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于开启电压，发射结、集电结均反偏。 放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 1.3.3 BJT的特性曲线 饱和区——iC随uCE增大而增大，此时发射结正偏，集电结正偏。 临界饱和状态：uCE=uBE 或 uCB=0 判断：uBE增大，IB增大，iC基本不变。 截止区——iCICEO，iB=0。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 判断：近似认为iC=0 放大区——iC仅取决于iB。 此时，发射结正偏， 集电结反偏。 判断：满足放大关系。 *