半导体器件物理施敏二版.pptVIP

本章主题 电特性和物理特性上p-n结的形成 在偏压下，结耗尽层的特性 电流在p-n结的输运，产生及复合对其的影响 p-n结的电荷储存对其暂态响应的影响 发生在p-n结的雪崩倍增及其对最大反向电压的影响 异质结及其基本特性 4.1 基本工艺步骤 4.2 热平衡状态 能带图 平衡费米能级 内建电势 空间电荷 4.3 耗尽区4.3.1 突变结电场电势分布 耗尽层近似 耗尽层近似 电势分布 P-N和P+N结 耗尽层宽度 单边突变结相关公式 4.3.2 线性缓变结 线性缓变 4.4 耗尽层势垒电容 两种结势垒电容公式 单边突变结 线性缓变结 变容器 4.5 电流电压特性 4.5.1 理想情况 4.5.2 产生复合与大注入影响 产生复合与大注入影响 产生复合与大注入影响 产生复合与大注入影响 串联电阻和大注人效应 4.5.3 温度影响 4.6 电荷储存与暂态效应 扩散电容 暂态响应 4.7 PN结的电击穿 雪崩击穿通用公式 隧道击穿 4.8 异质结 异质结 两个假设 耗尽区宽度 作业5 作业6 对于v3kT/q 复合电流 串联 大注入 在n端pn=nn 电流正比于 增长较缓慢 扩散和复合产生电流大小和温度有关 硅二极管I，V和温度的关系 正向偏压 反向偏压 225 175 125 75 25 VF/V VR/V 225 175 125 75 25 对于一扩散电流占优势的单边p+-n，饱