热电性质与四点探针方法教程教案.pptVIP

實驗一 熱電性質與四點探針方法;清洗方法 蝕刻法 乾式蝕刻和濕式蝕刻 溶解法 利用適當溶劑溶解附於晶片表面之溶質(雜質)。此法之應用以 極性漸近為原則。從非極性溶劑浸洗。再改浸極性較強之溶 劑，最後以去離子水浸洗 機械法 以機械方式清洗晶片表面之污染物，最常用的機械有超音波 振盪器、刷洗機。其最主要之功能是清洗附於晶片表面之粒 狀污染物 化學反應法 利用化學反應方法以達到清洗目的，其原則有二： (A)雜質與反應劑反應其產物為水溶性，由於水溶性經去 離子水浸冼後達到清洗之目的。 (B)雜質與反應劑反應其產物為氣體，由於氣體之產生可 揮發，達到清洗之效果。 ;業界清洗步驟;步驟 ;清洗晶片;???斷晶片種類;矽晶體結構;晶格座標;在較小的(6吋150mm以下)晶圓是採用切邊的方式(如下圖)，若標記線和基準線呈45度，則是屬於N型、方向111；若只有基