8实验八锑化铟磁电阻传感器的磁阻特性测量与应用.docVIP

.WORD文档下载可编辑. 专业资料整理分享 实验八43 5 锑化铟磁阻特性测量 磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位置测量等，其中最典型的锑化铟（InSb）传感器是一种价格低廉、灵敏度高的磁电阻，有着十分重要的应用价值。本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用砷化镓（GaAs）霍尔传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（InSb）磁阻传感器的电阻随磁感应强度的变化情况。 一、实验目的 1 、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度变化的关系。 2 、作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。 3 、对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行曲线和直线拟合。 二、实验仪器 FD-－MR-－Ⅱ型磁阻效应实验仪（：直流双路恒流电源、 0～2~2V 直流数字电压表、电磁铁、数字式毫特仪（GaAs作探测器）、锑化铟（InSb）磁阻传感器、电磁铁及双向单刀开关等）、示波器、电阻箱、电磁铁、正弦交流低频发生器，双向单刀开关及导线若干。 三、实验原理 在一定条件下，载流导体或半导体的电阻值 R 随磁感应强度 B 变化的规律称为磁阻效应。如图 43-1 所示，当半导体处于磁场中时，导体或半