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半导体二极管及其基本电路 1.3.2 二极管的V–I特性 半导体的V–I 特性如图所示 0.2 0.4 0.6 0.8 -20 -40 -60 5 20 15 10 0 iD/mA -10 -20 -30 -40 iD/μA vD/V 正向特性 反向特性 反向击穿 正向特性 : 当正向电压较小，正向电流几乎为零。此工作区域称为死区。Vth称为门坎电压或死区电压(该电压硅管约为0.5V，锗管为0.2V)。当正向电压大于Vth?? 时，内电场削弱，电流迅速增长,呈现的很小正向电阻。 反向特性: 少数载流形成的反向饱和电流，其数值很小。当温度升高时，反向电流将随之急剧增加。 反向击穿特性: 反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，二极管的反向击穿。其原因和PN击穿相同。 1.3.3 二极管的主要参数 器件的参数是对其特性的定量描述，也是正确使用和合理选择器件的依据。半导体二极管主要参数有： 最大整流电流IF: 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，它是由PN结的结面积和外界散热条件决定的。实际应用时，二极管的平均电流不能超过此值，并要满足散热条件，否则会烧坏二极管。 最大反向工作电压VR: 二极管的使用时所允许加的最大反向电压，超过此值二极管就有发生反向击穿的危险。通常取反向击穿电压的一半作为VR。 1.3.3 二极管的主要参数 反向电流IR: 指二极管击穿时的反向电流值。此值越小，二极管的单向导电性越好。此值与温度有密切关系，在高温运行时要特别注意。 最高工作频率fM: 主要由PN结的结电容大小决定，超过此值，二极管的单向导电性将不能很好地体现。 由于制造工艺的限制，即使是同一型号的管子，参数的分散性也很大，手册上往往是给出参数的范围。 1.4 特殊二极管 稳压管及其稳压特性 发光二极管 光电二极管 变容二极管 激光二极管 1.4.1 稳压管 稳压管又称齐纳二极管，是一种用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其代表符号如图(a)所示。 稳压管特性如图(b) o vz/V iZ/mA Vz ΔVz ΔIz + _ a k ( a ) ( b ) 稳定电压 稳压管的稳压作用原理在于，电流有很大增量时，只引起很小的电压变化。 反向击穿曲线愈陡，动态电阻愈小，稳压管的稳压性能愈好 加限流电阻R，使稳压管电流工作在IZmax和IZmix的稳压范围。 1.4.2 变容二极管 作用原理:结电容随反向电压的增加而减小。 代表符号 k a O 1 2 5 10 20 50 5 10 15 20 25 -V/V C/pF 特性曲线 电容最大值可能5~300pF。最大电容与最小电容之比约为5:1 变容二极管在高频技术中应用较多。 1.4.3 光电二极管 作用原理:PN结在反向偏置状态下运行，它的反向电流随光照强度的增加而上升。 代表符号 等效电路 特性曲线 1.4.3 光电二极管 应用:信号传输和存储等环节 优点:抗干扰能力较强、传送信息量大、传输耗损小且工作可靠。 结构:与PN结二极管类似，管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。 运行:PN结在反向偏置状态下 主要特点是，它的反向电流与照度成正比，其灵敏度的典型值为0.1mA/lx数量级。 1.4.4 发光二极管 发光二极管通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等所制成的 通以电流时将发出光来(由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果)。 光谱范围是比较窄的，其波长由所使用的基本材料而定。 发光二极管的符号 1.4.4 发光二极管 发光二极管的主要特性表 cd(坎德拉)发光强度的单位 1.4.5 激光二极管 激光二极管的结构图和符号如图所示。 物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。 在正向偏置的情况下，LED结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光 激光二极管在计算机上的光盘驱动器，激光打印机中的打印头等小功率光电设备中得到了广泛的应用。 * * 1. 半导体二极管及其基本电路 学习目标 1) 掌握以下基本概念：半导体材料的特点、空穴、扩散运动、漂移运动、PN结正偏、PN结反偏； 2) 了解PN结的形成过程及半导体二极管的单向导电性； 3) 掌握半导体二极管的伏安特性及其电路的分析方法； 4) 正确理解半导体二极管的主要参数； 5) 掌握稳压管工作原理及使用中的注意事项，了解选管的一般原则。 1.1 半导体基本知识 1.1.1 半导体材料 半导体: 导电性能介于导体与绝缘