CMOS图像传感器精编.pptVIP

* 7、光谱响应特性 CMOS图像传感器的信号电压Vs和信号电流Is是入射光波长λ的函数。光谱响应特性就是指CMOS图像传感器的响应能力随波长的变化关系,它决定了CMOS图像传感器的光谱范围。 1、暗电流 暗电流是 CMOS 图像传感器的难题之一。CMOS 成像器件均有较大的像素尺寸，因此，在正常范围内也会产生一定的暗电流。暗电流限制了器件的灵敏度和动态范围。通过改进 CMOS 工艺，降低温度，压缩结面积，可降低暗电流的发生率，也可通过提高帧速率来缩短暗电流的汇集时间，从而减弱暗电流的影响。 2、噪声 噪声的大小直接影响 CMOS 图像传感器对信号的采集和处理，因此,如何提高信噪比是 CMOS 图像传感器的关键技术之一。 CMOS的噪声主要有： 热噪声 复位噪声 散粒噪声 低频噪声 固定模式噪声 热噪声 热噪声是导体中被热激发的载流子进行不规则布朗运动所产生的随机电流，通过欧姆定律就产生了随机电压。 采用较小尺寸器件有利于减少热噪声。热噪声常与实际电路带宽有关，因而放大器输入级尤为重要。 复位噪声 复位噪声是像素中复位晶体管导通时沟道电阻引入的。一般，复位噪声的抑制方法是先测量复位噪声，然后从信号中减去。 散粒噪声 散粒噪声起因于带电粒子的量子性，分为暗电流散粒噪声、光电子散粒噪声。 暗电流散粒噪声起源于耗尽层热生电子--空穴对随机产生，光电子散粒噪声源于光生电子--空穴对随机产生。 低频噪声 低频噪声又称1/f噪声，也叫闪烁噪声（flicker noise），它产生于像素级源跟随器以及列放大电路中，是有源器件中载波密度的随机波动而产生的，它会对中心频率信号进行调制，并在中心频率上形成两个边带，降低了振荡器的Q值。由于1/f噪声是在中心频率附近的主要噪声，因此在设计器件模型时必须考虑到它的影响。可以通过减小器件面积的方法来有效抑制，应用前级电路也可使噪声最小化。 固定模式噪声 该噪声是空间噪声，是不随时间变化的，主要归因于各种偏差，如光探测器尺寸，掺杂浓度，MOS特性的偏差等。这部分噪声一般只能通过提高工艺水平来消除。 采取以下措施可抑制噪声和提高灵敏度 a.采用减少失调的独特电路，使用制造更加稳定的晶体管专用工艺 b.每个像元内含一个对各种变化灵敏度相对较低的放大器 c.借鉴 CCD 图像传感器的制备技术，采用相关双取样电路技术和微透镜阵列技术 d.光敏二极管设计成针形结构或掩埋形结构。 e.提高CMOS图像传感器的制作工艺 3、填充系数 CMOS 图像传感器的填充系数一般在 20%~30%之间，而 CCD 图像传感器则高达 80%以上，这主要是由于 CMOS 图像传感器的像素中集成了读出电路。采用微透镜阵列结构，在整个 CMOS 有源像素传感器的像元上放置一个微透镜将光集中到有效面积上，可以大幅度提高灵敏度和填充系数。 电荷读取方式 CCD:光通过光敏器件转化为电荷，然后电荷通过传感器芯片传递到转换器，最终信号被放大。电路较为复杂，速度较慢。 CMOS:光经光电二极管的光电转换后直接产生电压信号，信号电荷不需要转移。MOS器件的集成度高，体积小。 生产工艺 CCD传感器需要特殊工艺，使用专用生产流程，成本较高。 CMOS传感器使用与制造半导体器件90%的相同基本技术和工艺，且成品率高，制造成本低。 集成度 CMOS图像传感器能在同一个芯片上集成各种信号和图像处理模块，形成单片高集成度数字成像系统。 CCD还需外部的地址译码器，模数转换器，图像信号处理器处理等。 功耗 CCD需要外部控制信号和时钟信号来控制电荷转移，另外还需要多个电源和电压调节器，需要较高的电压，功耗较大。 CMOS图像传感器使用单一工作电压，芯片采用集成电路，电路几乎没有静态电量消耗，只有在电路接通的时候才有电量的消耗，因此功耗低。 速度 高速性是CMOS电路的固有特性，CMOS图像传感器可以极快地驱动成像阵列的列总线，并且ADC在片内工作具有极快的速率。 CCD采用串行连续扫描的工作方式，必须一次性读出整行或整列的像素值，读出速度很慢，能局部进行随机访问。 响应范围 CMOS图像传感芯片除了可见光外，对红外等非可见光波也有反应。 灵敏度和动态范围 CCD有高的灵敏度，只要很少的积分时间就能读出信号电荷。CMOS因为像素内集成了有源晶体管降低了感光灵敏度。CCD具有较低的暗电流和成熟的读出噪声抑制技术，目前CCD的动态范围比CMOS的动态范围宽。 抗辐射性 CCD的光电转换，电荷的激发的量子效应易受辐射线的影响。CMOS光电转换只由光电二极管或光栅构成，抗辐射能力较强。 Micron(Aptina Imaging) Aptina成像公司是CMOS成像解决方