催化剂辅助化学气相生长高结晶六方氮化硼薄膜-材料科学与工程专业论文.docxVIP

Classified Index:TG454 U.D.C:621.791 Dissertation for the Master Degree in Engineering CHEMICAL VAPOR GROWTH OF HIGH QUALITY HEXAGONAL BORON NITRIDE FILMS ASSISTED BY CATALYSTS Candidate: Zhu Ertao Supervisor: Prof. Yu Jie Academic Degree Applied for: Master of Engineering Speciality: Materials Science Affiliation: Shenzhen Graduate School Date of Defence: June, 2010 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘 要 纯六方氮化硼(hBN) 是一种直接带隙宽禁带半导体，其禁带宽度接近 6eV，在 紫外发光器件及高频电子器件领域具有重要的应用前景。 本研究采用微波等离子体化学气相沉积（CVD）方法制备 hBN 薄膜, 探索催化 剂对 hBN 薄膜 CVD 生长的影响规律,目的是通过在 CVD 过程中引入催化剂的作用获 得高结晶的 hBN 薄膜。反应气源采用 He-N2-BF3-H2 的气体，基材采用(100)取向的 单晶 Si 片。研究了催化剂的选择及其制备工艺以及 CVD 工艺参数对薄膜质量的影 响，并初步探索了催化生长的 hBN 薄膜的发光性质。 首先对金属催化剂进行了筛选，较为系统地研究了催化剂薄膜的制备工艺。 基于已有文献和有关热力学数据，选择镍和钼及其合金作为本实验的催化剂，研 究发现钼和镍钼合金的催化效果明显。催化剂的制备采用磁控溅射方法在硅基材 上沉积，并施加后续退火工艺改善催化剂的质量，通过退火催化剂薄膜表面形貌 更加均匀，结晶性改善。主要利用拉曼光谱表征了 hBN 薄膜的结晶度，测试表明 采用催化剂生长的 hBN 薄膜其拉曼峰半高宽比直接在硅衬底上生长的薄膜明显窄 化。研究了后续退火工艺对催化剂上生长的 hBN 薄膜质量的影响，结果表明后续 退火有助于结晶质量的进一步提高，退火后的催化剂其催化效果更加明显。 同时研究了 CVD 工艺参数主要是压强及偏压对 hBN 薄膜质量的影响，研究发 现工作气压对薄膜的生长速率影响很大。过低的气压下薄膜的生长速率过低，而 过高的气压导致结晶性的恶化，较为适合的工作压强是 6 kPa，在该气压下，薄膜 生长速度适中，薄膜结晶性比较好。偏压的引入会导致薄膜质量下降，这主要源 于偏压导致的离子轰击会在薄膜中产生更多的缺陷。 光致发光测试表明，本实验的六方氮化硼的发光峰位于 379 nm，对应的能量 是 3.28 eV，属于缺陷或杂质有关的深能级发光。随着退火时间的延长，379 nm 附 近的发光峰变窄，变强，表明缺陷的减少和薄膜质量的提高。 关键词：六方氮化硼，催化剂，化学气相沉积，薄膜 ABSTRACT Hexagonal boron nitride (hBN) is a wide band gap semiconductor with direct band gap. Its band gap is about 6eV. hBN is of high promise in applications of UV light emission and high frequency electronic devices. In this study, hBN films were prepared by microwave plasma chemical vapor deposition (CVD), and the effects of catalysts on the CVD growth of hBN films was investigated. The purpose of this study is to obtain high-quality hBN films by introducing catalysts during CVD process. The reactive gas system is the mixture of He-N2-BF3-H2 and the substrates are (100)-oriented monocrystal silicon wafers. The effects of catalyst nature, fabrication process of the catalysts,