以高功率脉冲磁控溅镀系统制备ZrTiSi金属玻璃薄膜.PDF

以高功率脈衝磁控濺鍍系統製備ZrTiSi 金屬玻璃薄膜 摘 要 高功率脈衝磁控濺射（HiPIMS ）是一種新型的物理氣相沉積技術，而由於物理氣相沉積法所鍍製之薄膜快速 沉積及冷卻速度快以至於打亂合金薄膜的結晶性使薄膜容易形成非晶態之金屬玻璃薄膜( TFMG ) ，所以本研 究結合高功率脈衝磁控濺鍍與射頻電源共濺鍍系統來製備ZrTiSi 金屬玻璃薄膜。實驗結果利用場發射電子微 探分析儀進行成分之定量分析，並利用X 光繞射儀檢驗薄膜之結晶結構，以場發射掃描式電子顯微鏡及原子 力顯微鏡觀察薄膜截面之顯微結構及表面粗糙度，而薄膜附著性使用HRC-DB 壓痕試驗法檢驗，並經由腐蝕 電位儀探討各薄膜的電化學腐蝕行為。 關鍵詞：高功率脈衝磁控濺射 、金屬玻璃、鋯基 一、前言 二、實驗方法 高功率脈衝磁控濺鍍(High Power Impulse 2.1 鍍膜製程 Magnetron Sputtering, HiPIMS)為一個新興之鍍膜技 本實驗利用高功率脈衝磁控濺鍍系統鍍製ZrTiSi 術，其電源系統設計是藉由在傳統直流電源供應器 金屬玻璃薄膜於生醫級316L 不銹鋼與P 型(100)單晶 上連接一高頻脈衝轉換器(Capacitor bank of a pulsing 矽晶片上，鍍製過程中利用高功率脈衝磁控濺鍍系統 unit) ，藉由電容將電荷儲存至幾百至幾仟伏特，再經 供應一個 3 吋鋯之純金屬靶及一個 2 吋鈦之純金屬 由快速開關裝置，在數百或數十μs 的脈衝時間內瞬 靶，並利用射頻電源供應一個3 吋矽靶，鍍膜過程中 間放電，能提供靶材高達數千瓦之功率密度[1,2] 。而 試片載座與靶材距離約 17 公分 ，鍍膜時間為兩小 HiPIMS 相較於傳統 PVD 技術而言，具有高功率密 時。鍍膜過程中經由改變矽瓦數從 25 上升至250W 度、高電流密度與幾乎百分之百的離化率及低沉積 來觀察薄膜之性質變化 。 溫度等特色 ，因此製備出之薄膜具有高硬度、良好 的附著性和耐磨性等優勢，且在較低溫度能得到高 品質之薄膜等優勢[3] 。 2.2 鍍膜性質分析 近年來金屬玻璃(Metallic glasses, MGs)也被廣 本實驗所鍍製的金屬玻璃薄膜將透過場發射電 泛的應用與發展，由於其具有相當優異的強度、硬 子微探分析儀(FE-EPMA, JXA-8500F, Japan)進行對 度和彈性係數和高抗腐蝕性。而金屬玻璃又稱為非 鋯、鈦、矽及氧元素之成分定量分析，確定不同濺 晶質合金，即其為多種金屬原子組合而形成短程有 鍍參數對鋯、鈦、矽三元素之成分變化。並利用 X 序(Short-range Order, SRO)或無序(no order)的排列方 光繞射分析儀(GA-XRD, PANalytical, XPert, Holland) 式，且金屬玻璃因其結構主要是以元素本身之金屬 之低掠角模式來進行薄膜晶相結構的分析，X 光繞 鍵相互鍵結與無序化之排列，致使其能有效保留多 射儀以 Cu K作為入射光源 ，工作電壓與電流分別 種元素之性質。例如鋯基 (Zr-based) 、鎳基 為40 kV 與30 mA 。其繞射條件入射角為 1