二氧化钛、氧化锌纳米棒阵列制备、改性及其光电化学性能研究-无机化学专业论文.docxVIP

摘 要 本文利用常规简便水热法在导电玻璃（FTO）上利用外延生长出了二氧化钛 和氧化锌纳米柱状阵列光电化学电极，并对其形貌，长径比进行了合成条件的 探索和优化。在此基础上，考虑到二氧化钛和氧化锌均为宽禁带半导体（带宽 均大于 3 eV），只能吸收利用有限的紫外光，而太阳光光子的大部分能量集中在 可见光光区，本文通过拓展光电极的光吸收性能以提高其光电化学性能。对于 纳米柱状 TiO2 我们研究了用葡萄糖浸渍后煅烧的方式对其进行碳掺杂改性的方 法,虽然紫外可见吸收光谱（UV-vis）没有非常明显的红移，但是标准光强条件 下测试光电极的光电流电压曲线（I-V）测试结果表明改性后的样品有明显的光 电流的提高。X 射线衍射（XRD）结果说明实验所得到的是金红石型二氧化钛， 而且低浓度碳掺杂并不会改变二氧化钛的晶型。扫描电镜（SEM）结果表明柱 状 TiO2 成长方体形状，长度约 1 m，宽度约 100 nm 左右；而对于纳米柱状 ZnO 的改性，本文通过简单水热法，以硫脲作为硫源，通过乙二胺与镉离子形 成的络合离子作为控制 ZnO 表面的 CdS 取代和沉积作用的中间体，实现了对纳 米 柱 状氧 化 锌阵 列的形 貌 控和 禁 带宽 度更小 的 硫化 镉 （ Eg=2.42 eV ） 以及 ZnxCd1-xS 固溶体的沉积优化。 从 UV-vis 结果可以很好地看到随着 CdS 和 ZnxCd1-xS 的成功沉积以及其沉积量的改变使得所得到的光电极的光吸收范围从 380 nm 左右扩展到了 510 nm 左右。通过 SEM 观察不同条件下的光电极可以看 出，随着乙二胺与硝酸镉的比例不同，其形貌从单纯的柱状变为花状最终优化 为球状的改变。通过 X 射线衍射（XRD）测定了所沉积 CdS 和 ZnxCd1-xS 过程 中半导体光电极晶体性状的改变。通过三电极电化学工作站在标准光强下测试 光电极的光电流电压曲线（I-V）测试其光电化学性能，很好地反映出其光电化 学性能的提高。通过一系列反应参数的调控，得到了最佳反应条件。 关键词：二氧化钛纳米棒阵列；氧化锌纳米棒阵列；碳掺杂；硫化镉和 ZnxCd1-xS 修饰；光电化学性能 I ABSTRACT In this thesis, we utilized simple hydrothermal method to achieve the epitaxial growth of TiO2 and ZnO nanorod array photoelectrodes on FTO glass and their morphology and ratio of length to diameter were optimized by searching suitable synthesis conditions. On this basis，we considered the fact that both TiO2 and ZnO are wide gap semiconductors (band gap over 3 eV) and they can only absorb ultraviolet light. However, most of the solar energy is distributed into visible light. In this thesis, we enhanced the phoelectrochemical performance of the photoelectrodes by improving their visible light absorption. We used glucose as carbon source to modify the TiO2 nanorod by carbon doping. Although obvious red shift phenomenon was not appear in the UV-vis spectrum, the photocurrent vs voltage (I-V) results achieved under standard light intensity showed increased photocurrent after modification. X-ray powder diffraction (XRD) results showed the TiO2 examples are rutile TiO2 and the crystal phase did not change after a low concentration of carbon doping. Scan