2.13+2.15金属的光电子发射.ppt

二、可见光区域的光电阴极 2、锑-铯光电阴极 锑-铯阴极对可见光和紫外线都很灵敏，目前生产的光电管中大部分采用锑-铯阴极。 图2-67 常用光电阴极的光谱响应曲线 1一银氧铯阴极 2一多碱阴极 3一双碱阴极 4一锑铯阴极 * 二、可见光区域的光电阴极 3、多碱锑化物光电阴极 “多碱”效应，即锑和一种以上的碱金属化合，可以获得高灵敏的光电发射。 在光电倍增管、摄像管和变像管等光电器件中有着重要的应用。 图2-67 常用光电阴极的光谱响应曲线 1一银氧铯阴极 2一多碱阴极 3一双碱阴极 4一锑铯阴极 * 三、紫外光电阴极 1、碲化铯(Cs2Te)阴极 2、碱金属碘化物阴极 图2-68 碱金属碘化合物的光谱响应曲线 * 四、负电子亲和势(NEA)阴极 获得负电子亲和势(NEA)的条件：半导体表面的正电性吸附会造成能带向下弯曲，使有效电子亲和势下降。GaAs-Cs 能带弯曲造成负电子亲和势。 * 2.13金属的光电子发射 2.13.1金属光电子发射的基本特性 * 若入射光强（或光通量）不变，改变入射光频率，测量二极管伏安特性曲线。 用一只金属光电阴极做成的真空二极管，在入射光频率不变时，测量二极管伏安特性曲线。 一、斯托列托夫定律（入射光频率不变时） 入射光通量（光子数） 饱和光电流（光电子数） 光电灵敏度（量子效率、量子产额） * 二、爱因斯坦定律： T=0时，光电子的最大动能Emax与入射光的频率成正比（线性关系），而与入射光的强度无关。 :入射光子能量 :极限频率（红限、红阈） * T=0K时，E的最大值为EF，所以： 电子克服势垒高度后的动能为： E能级上的电子吸收hν后总能量为： 令： 则，能产生光电子发射的最大光波长为： * 在T≠0时，EF以上有电子占据，所以在ν＜ν0时，仍有电子发射。 * 三、光谱特性（在入射光强度不变时，光电流与入射光频率的关系。） 由于Φλ不变，故饱和光电流与入射光波长有关。 选择性光电效应的特点是光电流有极大值。 斯托列托夫定律： 正常光电效应的光电灵敏度 * 选择性光电效应的解释： 在T=0时，一方面，随着入射光频率的提高，金属中费米能级以下的电子也能够吸收光能量而激发到真空能级以上，引起光电子发射增加。 另一方面，金属中自由电子吸收光能量的几率在频率较高时将随频率的增高而减小。 这两方面因素的共同作用，造成在某一个频率处，光电子发射有极大值。 * 碱金属光谱特性上选择性极大值的位置 金属 （?） （eV） （eV） Li 2800 4.40 6.96 Na 3400 3.62 5.6 K 4400 2.82 4.28 Rb 4700 2.64 3.95 Cs 5500 2.26 3.41 * 2.13.2金属的光电子发射理论 进行定量分析必须考虑: （1）金属中的电子状态。对金属中的自由电子，可采用索末菲的简化模型，电子的能量服从费米-狄拉克统计分布。 （2）金属对光的反射、吸收和透射性质，以及电子对光子的吸收几率问题。该几率与光的频率、强度、极化以及电子的能量有关，相当复杂。 （3）电子吸收光子后的能量和速度分布将不同于费米分布。 （4）受激电子在向表面扩散过程中的能量损失规律。要考虑与自由电子碰撞，次级电子的产生，以及与声子碰撞等等。 （5）受激电子到达表面后与表面势垒的作用。要考虑势垒的反射，表面吸附层的影响等。 * 要定量解决上述问题十分困难，对此，福勒假定： （1）入射光频率限制在红限附近，例如ν=ν0~1.5 ν0。 （2）温度不太高，只有能量处于EF附近的电子才可能受激成为光电子。 由于把光频以及电子能量都限制在一个小的范围内，所以一切随频率和电子能量变化不很大的物理量，均可以看成常量，使得问题的处理大大简化。例如： 不同能量的电子吸收光子的几率相等。 在吸收光子后，受激电子的能量分布与吸收光子前相似，只是整个分布曲线向高能量方向移动了hν的量。或者对于受激电子来讲，也可以看成表面势垒降低了一个hν的量。 另外，对于金属，由于其对可见光和近紫外光谱区呈现高反射、低吸收的性质，加上金属中自由电子浓度大，所以受激电子的逸出深度只有几个原子层(只考虑表层电子的发射，也就是说，不用考虑受激电子在金属中的运动。)，它们的量子产额通常小于10-3电子/光子。 * 福勒理论推导过程： 单位时间，打在单位面积上的，速度在 之间的电子数表示为： 那么，速度在 之间的，而y、z方向速度为任意的电子数为（对y、z两个方向的速度积分）： * 金属中，单位时间打在垂直于x方向的单位面积上的，能量在Ex~Ex+dEx之间的电子数（参见“阴极电子学”，刘学悫，科学出版社，1980年，P1