2.6+2.7实用热阴极.pptVIP

2.6+2.7实用热阴极 一、对阴极的要求 1、材料的逸出功低：这样，在相同阴极的工作温度下，j0 就大。 2、工作温度低：即在相同 j0 情况下，要求 T 要小。 3、在工作温度下，材料蒸发小，寿命长，对环境污染小。 4、抗离子轰击或抗中毒性好。 5、便于成型、加工、耐机械和热的冲击。 二、热阴极的参量 1、零场发射电流密度 j0：A/㎝2。 2、工作电流 Ik 和工作电流密度 jk 。通常jk＜j0 。 I0：零场发射电流。 Pf：阴极加热功率。 3、发射效率： 4、工作温度： Tk 5、逸出功：Φ 6、蒸发速率 ν 和优劣系数F0： F0 越小越好。 ν：单位时间从单位面积阴极表面上蒸发出来的活性物质数量， g/cm2·h Te：材料的饱和蒸汽压为10-3 Pa时所对应的温度（K）。 7、寿命：在一定温度下，支取一定的阴极电流，当零场电流密度下降到某一值，如70%时，工作的总小时数。 三、热阴极的主要结构 1、直热式 2、间热式 钨阴极(a,b) 钍钨阴极(a,b) 硼化镧 （h） 氧化物阴极（c、d） 储备式阴极（e、f、g） 间热式硼化镧（i） 四、常用热阴极简介 纯钨阴极、钍钨阴极、氧化物阴极、钡钨阴极和硼化镧阴极。 从性能、发射机理、应用三个方面介绍。 1、纯钨阴极 （1）性能： 工业中唯一应用的纯金属阴极。 熔点：3655K；逸出功：4.52eV；工作温度高达2500~2700K；零场发射电流密度较低，约0.5A/cm2；阴极的发射效率很低，约2×10-3~10-2A/W。 带状、杆状、丝状。 发射稳定，耐离子轰击，可曝露于大气。 （2）机理：前面讲过的金属热发射机理。 （3）应用：大功率发射管，X光管、电离计、扫描电镜、电子能谱仪等。 2、钍钨阴极 （1）发射机理 钍钨阴极属于原子薄膜型阴极。 钨丝中加有0.5%~1.5%的ThO2 偶电层的形成： 经热处理激活后，在钨表面形成了Th的原子层，Th的逸出功小于钨的逸出功，使得Th以正离子的形式存在于W表面，故形成了偶电层，外正内负。偶电层电场对应的肖特基效应，使W的逸出功下降，发射电流增加。 覆盖度θ：Th的面积/W的表面。 当θ=0.7 时，钍钨阴极的逸出功最低，约2.6~2.7eV。 （2）性能 当工作温度为2000K时，发射电流密度约2~3A/cm2，发射效率比纯钨阴极约高出10倍。 阴极温度较高，表面容易去激活；对于器件内残余气体如H2O、O2等的作用敏感，抗中毒性差。 （3）应用 大、中功率发射管。 3、氧化物阴极 （1）性能：逸出功低，Φ=1.0~1.2eV，工作温度低，T=950~1150K。 阴极类型 工作状态 逸出功（eV） 工作温度（K） 发射效率（A/W） jmax （A/cm2） 纯钨阴极 连续、 脉冲 4.52 2400~ 2700 6×10-3~ 10-2 1 钍钨阴极 连续、 脉冲 2.63 1950~ 2000 4×10-2~ 10-1 2 氧化物阴极 连续 1.0~ 1.2 950~ 1100 10-1~ 2.5×10-1 0.1~ 0.5 脉冲 1.0~ 1.2 950~ 1150 20 10~ 50 由于氧化物涂层电阻率高，电流经过易发热而使涂层蒸发，故限制了其直流工作，而在脉冲工作时显示出其优越性。 （2）结构 三元碳酸盐的涂层。 加热分解出BaO颗粒。 还原激活：通过加热，从基金属内扩散出激活剂，与BaO还原反应，生成盈余的Ba原子。 盈余的Ba在氧化物阴极的电子发射过程中起重要作用。 （3）电子发射机理：氧化物阴极的半导体模型 BaO 本征半导体 BaO+Ba N型（施主）半导体 BaO本征半导体 由于BaO本身的对电子亲和势即外逸出功较小，因此，只要导带中有电子占据，BaO就有较好的发射能力。但是，由于Eg较大，故在常温下，电子从价带到导带的可能性较小。 BaO+Ba：N型（施主）半导体 由于Ba的盈余，起了一个施主掺杂的效应，施主的电子很容易进入导带，ΔE≈1.4eV较小。另外，施主Ba的存在，使BaO变为N型半导体，使其EF上移，Φ=χ+0.5 ΔE，较BaO为小，故电子发射能力增加。 Ba原子使外逸出功χ下降，使总的逸出功下降。 （4）应用 收讯放大管，电子束管，显像管，微波电子管。 （5）氧化物阴极的问题： 阴极中毒 气体的性质，压强，时间，阴极的工作温度，基体金属的激活剂成分。 蒸发寿命 自由钡的产生：激活剂由于浓度差扩散到涂层中与BaO反应生成自由Ba，而激活剂的扩散速率是随着时间的增长而下降的。 蒸发：降低工作温度，减小蒸发是对阴极的基本要求。 寿命：取决于Ba的生成速率与蒸发速率。 4、储备式阴极：主要用于各种大功率微波器件及气体激光器中，