VCSE工艺简介.pptxVIP

垂直腔面发射激光器（VCSEL ） 制作工艺简介 Beijing Asia ScienceTechnology VCSEL基本简介 垂直腔表面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即VCSEL) 区别于边发射激光器沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射，而是面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面，如下图： 边发射激光器（a） 面发射激光器(b) VCSEL基本简介-基本构成 1977 年，日本东京工业大学的伊贺健一(KenichiIga)提出 VCSEL 的概念，其光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射。典型的 VCSEL 为顶发射结构。结构示意图如下图 所示 VCSEL的结构示意图 （顶部布拉格反射器（P-DBR）、谐振腔和底部N-DBR） VCSEL的制作总工艺过程 工艺过程总流程图 侧向选择氧化制备工艺流程图 VCSEL的制作总工艺过程 工艺制备图 侧向选择氧化制备工艺流程图 外延材料制备 MOCVD 侧向选择氧化制备工艺流程图 n-DBR GaAs substrate active P-DBR P-ring contact VCSEL的制作芯片工艺与关键设备 芯片流片 芯片流片过程 外延材料制备 沉积SiO2 侧向选择氧化制备工艺流程图 n-DBR GaAs substrate P-ring contact 外延材料制备 光刻+腐蚀 做SiO2掩膜 侧向选择氧化制备工艺流程图 n-DBR GaAs substrate P-DBR P-ring contact 外延材料制备 台面腐蚀 侧向选择氧化制备工艺流程图 n-DBR GaAs substrate active P-DBR P-ring contact 外延材料制备 去掩膜 侧向选择氧化制备工艺流程图 n-DBR GaAs substrate active P-DBR P-ring contact 外延材料制备 局部氧化 侧向选择氧化制备工艺流程图 n-DBR GaAs substrate active P-DBR P-ring contact 外延材料制备 沉积SiO2 侧向选择氧化制备工艺流程图 n-DBR GaAs substrate active P-DBR P-ring contact 外延材料制备 光刻、刻蚀、开窗 侧向选择氧化制备工艺流程图 n-DBR GaAs substrate active P-DBR P-ring contact 外延材料制备 光刻、电极、出光孔 侧向选择氧化制备工艺流程图 n-DBR GaAs substrate active P-DBR P-ring contact