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第0章 预备知识 第1章 半导体器件 1.1 半导体器件的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应管 1.1 半导体器件的基础知识 结论： PN结加正向电压，即正偏时，有较大的正向扩散电流，此时PN结电阻小，处于导通状态，此时的正向电流随着PN结两端的电压增大而增大； PN结加反向电压，即反偏时，只有很小的，不随PN结两端电压变化的反向饱和电流，此时PN结电阻大，处于截止状态。 即PN结具有单向导电性能。 第1章 半导体器件 1.1 半导体器件的基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应管 二极管具有单向导电性 例1：由理想二极管组成的电路如图，其中输入波形ui1、ui2如下，试画出输出波形uo。 例2：由理想二极管组成的电路如图，试确定各电路的输出电压（例1-1） 二极管的补充应用例题 例1：二极管导通电压UD约为0.7V。试估算开关断开和闭合时输出电压值。 例3 电路如下图所示：估算流过二极管的电流IVD和A点电位UA，设二极管的正向压降为0.7V 例3 电路如下图所示:估算流过二极管的电流IVD和A点电位UA，设二极管的正向压降为0.7V 稳压二极管的应用例题 例4（教材例1-3）图示是利用稳压管组成的稳压电路。其中UI为未经稳定的直流输入电压，R为限流电阻，RL为负载电阻，UO为稳压电路的输出电压。试分析此电路的稳压原理。 例4（教材例1-3）图示是利用稳压管组成的稳压电路。其中UI为未经稳定的直流输入电压，R为限流电阻，RL为负载电阻，UO为稳压电路的输出电压。试分析此电路的稳压原理。 例5（教材例1-4）图示电路稳压管VDZ1=5V，VDZ2=7V，稳压特性是理想的，正向压降为0.7V。根据输入电压波形画出输出电压的波形。 例5（教材例1-4）图示电路稳压管UDZ1=5V，UDZ2=7V，稳压特性是理想的，正向压降为0.7V。根据输入电压波形画出输出电压的波形。 A 6 3 0 0 2 1 -2 -1 12 6 思考：VDZ1和VDZ2背靠背连接的稳压特性？ t/ms UA5V，UO=5V； -0.7VUA5V，UO=UA。 UA-0.7V，UO=-0.7V； 2.PN结的单向导电性 P型 N型 空间电荷区 内电场E PN结 + - 1、外加反向电压形成外电场，内外电场方向相同，内电场被增强。 2、外电场使多子远离空间电荷区，结果使空间电荷区离子层变厚，势垒增加。 3、势垒增加使扩散电流很快减到零。只剩下漂移电流。漂移电流由少子形成，其值很小，温度一定时，大小一定。不随外加电压改变。固又叫反向饱和电流。 外电场 反向电压 （2）外加反向电压 有很小的漂移电流，即反向饱和电流，其值不随反向电压而改变，此时PN结电阻很高。 (2) 在PN结外加上反向电压时： PN结反偏（P(-), N (+)）时，仅有很小的反向漂移(饱和)电流，呈现高电阻，PN结截止。 ? 当加反向电压时(U UT) ： ? 当加正向电压时(U UT) ： 反偏 正偏 U I 0 3.PN结的伏安特性 4.PN结的击穿特性 反向击穿 PN结上反向电压达到某一数值(反向击穿电压UB)，反向电流激增。 ? 雪崩击穿： ? 齐纳击穿： 易发生于掺杂浓度相对小的PN结，反向击穿电压相对较高。 易发生于掺杂浓度高的PN结，反向击穿电压相对较低。 可逆 击穿 PN结的电流或电压较大，使PN结耗散功率超过极限值，使结温升高，导致PN结过热而烧毁。 ? 热击穿： 不可逆 击穿 串联限流电阻避免 5.PN结的电容效应 PN结两端加上电压，PN结内就有电荷的变化，说明PN结具有电容效应 C C1 C2 Q2 Q1 U ΔU ΔQ1 ΔQ2 电容器定义和公式： 5.PN结的电容效应 ? 势垒电容CB：空间电荷区不能移动的正、负离子构成势垒电容。其结构类似平板电容，其电荷随结电压变化而变化的过程类似平板电容充放电。 PN结加反向电压时，结电容基本以势垒电容为主。 ? 扩散电容CD：多子扩散后，在PN结的另一侧累积形成的电容为扩散电容。PN结加正向电压时的结电容基本等于扩散电容。 ? PN结的结电容C：Cj＝CB＋CD。 ?结电容Cj很小，工作频率低时可忽略，高频时要考虑电容影响。 PN结结电容Cj由势垒电容和扩散电容组成。 1.2 半导体二极管 二极管以PN结为核心，P端引出的电极为正（称正极或阳极）， N端引出的电极为负（称负极或阴极）。 按使用材料，二极管分为硅管和鍺管。 1.2.1半导体二极管的结构和类型 P