有机层界面LiF层在OLED中空穴缓冲作用.PDFVIP

第３０卷　第１期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３０ Ｎｏ１ ２００９年２月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｆｅｂ．，２００９ 文章编号：１０００７０３２（２００９）０１００５５０４ 阳极／有机层界面ＬｉＦ层在 ＯＬＥＤ中的空穴缓冲作用  武春红，张靖磊，刘彭义 ，侯林涛 （暨南大学 物理系，广东 广州　５１０６３２） 摘要：使用真空热蒸发镀膜法，在ＯＬＥＤ层状结构中引入不同厚度的ＬｉＦ作阳极修饰层，制备了结构为ＩＴＯ／ ＬｉＦ／ＴＰＤ／Ａｌｑ／Ａｌ的器件。ＬｉＦ超薄层的引入较好地修饰了ＩＴＯ表面，减少了阳极和有机层界面缺陷态的形 ３ 成，增强了器件的稳定性。实验结果表明：ＬｉＦ层有效地阻挡空穴注入，增强载流子注入平衡，提高了器件的 亮度和效率，含有１ｎｍ厚ＬｉＦ空穴缓冲层器件的性能最好，效率较不含缓冲层器件提高了近１．５倍。 关　键　词：有机发光二极管；ＬｉＦ修饰层；空穴缓冲 中图分类号：ＴＮ３８３．１；ＴＮ８７３．３　　　ＰＡＣＣ：７８６０Ｅ　　　文献标识码：Ａ ［９］ ［１０］ 用空穴缓冲层材料（例如：ＡｌＯ ，ＴａＯ ， １　引　　言 ２ ３ ２ ５ ［１１］ ［１２］ ［１３］ ［１４］ Ｃ ，ＳｉＯＮ ，ＴｉＯ ，ＺｎＳ ），能够有效地 ６０ ｘ ｙ ２ 近年来，随着有机发光二极管（ＯＬＥＤ）在平 阻挡空穴注入，增强载流子注入平衡，提高了器件 板显示应用中的不断发展，其全固态、自发光、高 的亮度和效率。 亮度、低工作电压和能实现柔性显示等特性得到 本文使用了４种不同厚度（０．５，１．０，１．５，２．０ 广泛关注，进一步提高器件的效率和稳定性，成为 ｎｍ）的ＬｉＦ超薄层修饰ＯＬＥＤ阳极，制备了ＯＬＥＤ 目前研究工作的重点［１～３］。 器件，实验结果表明：同不含缓冲层的器件相比， 由于在ＯＬＥＤ典型的层状结构中，电极和有 含有１．０ｎｍ厚ＬｉＦ空穴缓冲层器件的性能最好， 机层界面之间存在一定高度的势垒，阻碍电子和 发光效率提高了近１．５倍，２０Ｖ电压驱动下亮度 空穴的有效注入，制约器件光电特性的提高。而 达到 ２ １７５０ｃｄ／ｍ。　 且，在一定电场作用下，空穴传输层中空穴的迁移 ２　实　　验 率远大于电子传输层中电子的迁移率，过多注入 的空穴在发光层形成猝灭中心，导致器件的亮度 ２．１　ＯＬＥＤ的制备 和效率降低［４］；同时研究发现：ＩＴＯ电极中金属向 所有器件均制备在ＩＴＯ透明导电玻璃（购于 有机层中的扩散，也是导致 ＯＬＥＤ效率和稳定性 深圳南玻显示科技有限公司）衬底上，其面电阻 ［５～７］ 下降的重要原因 。在电极和有机层界面之间 为４０ ／ ，使用ＴＰＤ作空穴