Microsoft-Word---第4章-思考题与习题.pdfVIP

思考题与习题  4.1 光电导内增益与哪些量有关？ 解：光电导探测器内增益与器件材料、结构尺寸及外加偏压有关。 光电导增益描述在外界光作用下回路中电流的增强能力。 定义为光电导材料中每产生一 个光生载流子而在回路中所产生的载流子数， 也即单位时间内流过回路横截面的载流子数与 光生载流子数之比称为光电导增益，用M 表示。假设光通量 Φ 入射到 n 型半导体上，入射 光频率为 ν，量子效率为 η，有  I / e  U  M = p  = m t h F / hn n  l2  由此可见，光电导增益与光电导材料上所加电压成正比，与材料长度平方成反比，减小材料 长度可以提高增益。  4.2 光电导探测器灵敏度与工作偏置电压是否有关？它在实际应用中的重要意义是什么？ 答：在光照度一定时，光电导探测器灵敏度随工作偏置电压的增大而增大；因此在实际应用 中，可以在光电导探测器的最大额定功率内适当提高工作偏置电压，以得到较大的探测灵敏 度。  4.3 对于同一种型号的光敏电阻来讲，在不同光照度和不同环境温度下，其光电导灵敏度与 时间常数是否相同？为什么？如果照度相同而温度不同时情况又会如何？ 解：同一型号的光敏电阻，在不同光照下和不同的环境温度下，其光电导灵敏度和时间常数 不相同。在照度相同而温度不同时，其光电导灵敏度不相同和时间常数也不相同。其材料性 质一样，只是决定了h 的值一定，光照度和环境温度不同，则产生的光生电子浓度和热生电 子浓度各异，决定了t 值不同，照度相同决定光生电子浓度相同，温度不同决定了热生电子 浓度不同，同样也决定了t 值不同。 h qtm  l 1 h bd  1/2  1  由 S  = （弱辐射）和 dg= qm ( ) F2  d F （强辐射）可推出光电灵敏度 g  hcl2  2 hn K l3  e,l e, l f  - t/ t t  不相同，由 I= I (1- e ) （弱辐射）和 DI = DI tanh （强辐射）可推出时间常数不相 Fe0  F Fe0  t 同。  4.4 试说明为什么杂质型光敏电阻需要低温使用。 解：在常温下杂质原子束缚的电子或空穴已被热激发成自由态作为暗电导率的贡献量。这时 长波光照在它上面已无束缚电子或束缚空穴供光激发用，即光电导Ds 为零或很微弱。为使 杂质光电导探测器正常工作，必须降低它的使用温度，使热激发载流子浓度减小，才能增加 光激发载流子浓度，以提高相对电导率 Ds /s d  。  4.5 总结选用光电探测器的一般原则。 解：用于测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配；考虑时间响应特性;  考虑光电探测器的线性特性等。  ­6  4.6 设某只 CdS 光敏电阻的最大功耗为 30mW，光电导灵敏度 S 2¥ 10 S/lx，暗电导为零。 g  试求当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 时的极限照度。 r  解：由式 I = US E 得