集成电路原理课件-MOS集成电路的版图设计教学幻灯片.pptVIP

刻P沟MOS多晶硅栅，引入硼注入，形成p+区 整个硅片上淀积厚氧化层 确定接触孔 淀积Al，形成互连图形 长钝化层，并刻出钝化孔，露出压焊点 Mask 5 PMOS栅 Mask 6 接触孔 Mask 7 刻金属 Mask 8 钝化 4、硅的局部氧化工艺 ——Si3N4（氨气氛中硅烷SiH4还原法生长）只能被缓慢氧化，因此可用来保护下面的硅不被氧化。选择性腐蚀氮化硅（180℃左右的磷酸）后，留下氧化物图形（见图5-7）。 图5-7 局部氧化示意图 由Si?SiO2时，SiO2的体积约增大为Si体积的2.2倍。因此，氧化物边缘台阶只有常规平面工艺的一半，有助于金属布线的连续性。 图5-8 等平面工艺的实现 如采用预腐蚀（腐蚀液：HF+HNO3+H2O或醋酸稀释）局部氧化，则：以Si3N4为掩模，在下一步进行氧化前将露出的Si有选择地腐蚀掉一部分，减少Si的量，可使氧化后的表面与未氧化的Si表面基本保持在同一平面（除在窗口附近稍有起伏）?等平面工艺。 采用LOCOS工艺，与浅结工艺结合，可起到较好的隔离表面漏电流的作用，并能较好地实现硅片表面平坦化，有利于金属布线。 LOCOS工艺的缺点： 氮化物直接长在硅表面，将在窗孔中引起较高的位错密度，因此通常在生长氮化物之前先长一层薄的氧化物（几十?），降低因晶格失配导致的高