石墨烯纳米结构中负微分电阻效应的研究.docVIP

石墨烯纳米结构中负微分电阻效应的研究 　　摘要： 由于石墨烯具有高电子迁移率的特性，可以用来制备高频电子器件。利用传输矩阵方法，对石墨烯p-n结及方形势垒纳米结构中的负微分电阻效应进行了研究。证实了石墨烯p-n结中负微分电阻现象比传统半导体中的幅度要小，石墨烯中Klein隧穿过程的存在使负能量范围内的空穴对电流产生影响。石墨烯纳米方形势垒中发生负微分电阻效应的位置在费米面附近，势垒宽度越大，对载流子的阻挡越大，负微分电阻效应越明显。 　　关键词： 石墨烯； 负微分电阻； 传输矩阵 　　中图分类号： TN 361文献标志码： A doi： 10.3969/j.issn.1005-5630.2015.04.011 　　Abstract： The negative differential resistance （NDR） effect of graphene in the p-n junctions and nanoscale barriers is investigated by using transfer-matrix method. The NDR phenomenon in the graphene p-n junctions is not so obvious as that in the conventional semiconductors， because the holes in the negative energy range also contribute to the current due to the Klein tunneling. The NDR location of graphene nanoscale barriers lies on the Fermi energy level. The block of the barrier to the current is more apparent with increasing barrier width， and the NDR effect becomes more obvious. 　　Keywords： graphene； negative differential resistance （NDR）； transfer matrix 　　引 言 　　石墨烯（graphene）[1-2]是由单层碳原子按六角晶格结构排列而成，它是一种真正意义的二维体系。由于石墨烯在电学、力学、光学、热学等各方面都具有优异的物理性质[3-4]，所以自2004年英国曼彻斯特大学的Novoselov与Geim成功制取以来，特别是这2位获得2010年诺贝尔物理学奖以后，石墨烯更是引起物理、材料、化学等各领域的极大关注，并使之迅速成为基础理论与应用的研究热点之一。 　　负微分电阻（negative differential resistance，NDR）效应[5]一般是指在n型的GaAs 和 InP等双能谷半导体中，由于电子转移效应（transferred-electron effect）而产生的一种效应，即随着电压增大而电流呈现减小的现象。在负阻区，半导体中载流子浓度局部的微小涨落即可引起非平衡多数载流子的大量积累而产生空间电荷，这种现象就是负微分电阻效应。它是耿氏（Gunn）二极管工作的物理基础，是现阶段制备高频电子器件的重要技术途径。本文利用传输矩阵的方法，针对典型的p-n结和方形势垒结构分别研究其中的负微分电阻效应，并讨论影响因素及物理原因。 　　1 原理与公式 　　1.1 原理 　　石墨烯的每一个碳原子最外层4个电子与周围的3个最近邻原子进行sp2杂化，形成3个σ键，剩余1个电子在pz轨道上与周围电子形成π键。石墨烯每个原胞中含有2个不等价的原子，对应于布里渊区的K与K′点（k空间中高对称点），又叫Dirac点。Dirac点附近（小于1eV范围）的电子遵循着无质量费米子的Dirac方程，它有线性的色散关系E（k）=±vFk[4]，其中E代表载流子能量，vF代表费米速度106 m?s-1，k代表波矢，代表简约普朗克常数。而且导带底与价带顶是直接相连，属于一种无带隙的材料体系。石墨烯的色散关系与传统出现负微分电阻效应的材料如GaAs或InP的双能谷完全不同，但研究发现其中有负微分电阻效应[6-7]。由于石墨烯中电子迁移率高达106 cm2?（V?s）-1[8]，而GaAs的这一数值为8 000 cm2?（V?s）-1，Si中为1 450 cm2?（V?s）-1 [5]。人们利用石墨烯高电子迁移率这一特性，制备高频电子器件，如毫米波及太赫兹（1 THz=1012 Hz）波器件，而负微分电阻效应是这些器件的物理基础。 　　1.2 传输矩