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- 2018-11-02 发布于广西
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1.1.2 杂质半导体 ( N型半导体和 P 型半导体) 1.1.3 PN结 二、 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 1.2 半导体二极管 1.2.2 伏安特性 1.3 晶体三极管 [双极型晶体管:Bipolar Junction Transistor-BJT] 1.3.3外部特性曲线( 共射极特性曲线) 1. 输入特性 2. 输出特性 1.3.4 主要参数 1. 共射电流放大系数? , (1)uDS =0时,uGS对导电沟道的控制作用: (2)UGS(off) uGS 0且uDS 0的情况: 已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。 4. 输出特性曲线 可变电阻区 uDS uGS ? UGS(th) uDS?? iD ?,直到预夹断 饱和(放大区) uDS?,iD 不变 夹断区 uGS ? UGS(th) 全夹断 iD = 0 iD /mA uDS /V uGS = 2 V 4 V 6 V 8 V 夹断区 饱和区 可 变 电 阻 区 放大区 恒流区 O uDS uGS ? UGS(th) 二、耗尽型 N 沟道 MOSFET S G D B Sio2 绝缘层中掺入正离子在 uGS = 0 时已形成沟道;在 DS
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