第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论1-精选（公开课件）.pptVIP

此為閘極控制電流的能力 通道電導 和傳導係數 （Transconductance） 在線性區通道電導 gD 和傳導係數 gm為： 在飽和區： 由MOSFET尺寸的設計，可獲得所需之gm 次臨限區(Subthreshold region) 當閘極電壓低於臨限電壓而半導體表面只稍微反轉時，理想上汲極電流應為零。 實際上仍有汲極電流，稱為次臨限電流(subthreshold current) 。 MOSFET做為開關使用時，次臨限區特別重要，可看出開關是如何打開及關掉。 次臨限區 電壓條件： VGS≦VT 時 現象：ID≠0 次臨限區（續） 聚積狀態：源極電子要克服很大的位障才能到達汲極。 弱反轉狀態：源極電子到達汲極要克服的位障比較小。 強反轉狀態：源極電子到達汲極要克服的位障很小，好像歐姆接觸。 次臨限區（續） 在此區電流主要是擴散電流而不是飄移電流，與載子濃度梯度有關，故電流關係式中有指數項： 因 定義次臨界擺幅(subthreshold swing)： S越大，表示ID隨VG的變化越小，on-off特性不明顯；S越小，表示ID隨VG的變化越大，on-off特性顯著。 ~介面陷住電荷Qit~ (interface trapped charge) 產生原因： 起因於Si-SiO2介面的不連續性及介面上的未飽和鍵。通常Qit的大小與介面化學成分有關。 改善方法： 於矽上以熱成長二氧化矽的MOS二極體使用低溫（約450℃）氫退火來中和大部分的介面陷住電荷，或選擇低阻陷的晶片（即(100)晶片）。 ~固定氧化層電荷Qf~ (fixed oxide charge) 產生原因： 當氧化停止時，一些離子化的矽就留在介面處（約30?處）。這些離子及矽表面上的不完全矽鍵結產生了正固定氧化層電荷Qf。 改善方法： 可藉由氧化製程的適當調整，或是回火(Annealing)來降低其影響力或是選擇較佳的晶格方向。 ~氧化層陷住電荷Qot~ (oxide trapped charge) 產生原因： 主要是因為MOS操作時所產生的電子電洞被氧化層內的雜質或未飽和鍵所捕捉而陷入。 改善方法： 可利用低溫回火消除掉。 ~可移動離子電荷Qm~ (mobile ionic charge) 產生原因： 通常是鈉、鉀離子等鹼金屬雜質，在高溫和高正、負偏壓操作下可於氧化層內來回移動，並使得電容-電壓特性沿著電壓軸產生平移。 改善方法： 藉由在矽氧化製成進行時，於反應氣體進行時加入適量HCl，其中的Cl離子會中和SiO2層內的鹼金屬離子。 平帶電壓VFB（續） 當VG = VFB時，?s = 0，故可得： 氧化層所跨電位可以下分析得知： 平衡狀態 Vox 平帶狀態 平帶狀態下，假設氧化層電荷QO存在與半導體之界面處（即x0 = d），則可得： FB （假設無功函數差） 平帶電壓VFB（續） 若氧化層中之電荷為任意分佈（一般情形），平帶電壓可表示為： 再考慮功函數差，並忽略界面陷阱電荷，平帶電壓會變為： 氧化層電荷對CV圖的影響 其中平帶電壓狀態介於聚積狀態與空乏狀態之間： 由平帶電壓公式可知：(Qo包括Qf、 Qot 、 Qm) Qo為正時，平帶電壓會比?ms小 Qo為負時，平帶電壓會比?ms大 氧化層電荷對CV圖的影響（續） 由平帶電壓的分析可知，當氧化層電荷為正時，CV圖會往左平移，且電荷越多，平移量越多；當氧化層電荷為負時，CV圖會往右平移。 Qo包括：固定氧化層電荷Qf、氧化層陷住電荷Qot 以及移動性離子電荷Qm。 界面電荷對CV圖的影響 表面週期性終止，有懸鍵產生，在禁制能帶會形成界面態階。 電荷可在半導體與界面態階之間流動，隨著偏壓之改變，界面態階與費米能階的相關位置不同，界面的淨電荷也會改變。 一般而言，在EFi上方的稱為受體態階，在EFi下方的稱為施體體態階。 施體態階：因費米能階在施體態階之上（填滿）時，為電中性；費米能階在施體態階之下（空的）時，為帶正電。 受體態階：因費米能階在受體態階之下（空的）時，為電中性；費米能階在施體態階之上（填滿）時，為帶負電。 界面電荷對CV圖的影響（續） 聚積狀態下（偏壓為負），受體態階都在費米能階之上，故為中性；但部分施體態階在費米能階之上，故為帶正電。 即聚積狀態下，界面淨電荷為正。 偏壓轉為正，當EF正好等於EFi時，受體態階都在費米能階之上，故為中性；施體態階都在費米能階之上，故也為中性。 即偏壓由負轉正時，正好有一個狀態（中間能隙），界面淨電荷為零。 以p型半導體為例： 界面電荷對CV圖的影響（續） 以p型半導體為例