模拟电子教学资料第1章第四节场效应晶体管.ppt

2.5.3 共漏极放大电路 直流分析 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－IDR 由此可以解出VGS、ID和VDS。 与三极管共集电极电路对应 直流通路： Rg的作用？ 交流分析 输出电阻 2.5.4 共栅极放大电路 Ro≈Rd 例题1 共源 已知： gm=0.3mA/V IDSS=3mA VP=-2V 解：静态分析： VGS=-RID ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 代入参数得： 3ID2-7ID+3=0 ID=0.57mA VGS=-1.14V VDS=VDD-ID(Rd+R)=8.31V +vi - C1 0.01u Q Rg 10M R 2K Rd 15K RL 18K C2 0.1u C3 10u VDD 18V +vo - （不合理，舍去） ID=1.77mA 例题1解 动态分析： Ri=Rg=10MΩ Ro=Rd=15KΩ §1.4 场效应晶体管 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 场效应管： 结型 N沟道 P沟道 MOS型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增