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第26 卷 第 10 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 26 No. 10
2011 年10 月 Journal of Inorganic Materials Oct., 2011
文章编号: 1000-324X(2011)10-1058-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.01058
CaCu Ti O 陶瓷高介电性的起因机制
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郝文涛, 张家良, 谭永强, 郑 鹏, 王春雷
( 山东大学 物理学院, 济南 250100)
摘 要: 为了探索 CaCu Ti O (CCTO)高介电性的起因机制, 利用固相反应工艺制备了 CCTO 陶瓷样品, 对其电学
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性质进行了研究. 在40 Hz~100 MHz 测量范围内, 其室温下的介电频谱在1 MHz 附近呈现一个类Debye 型弛豫, 而
高温介电频谱分别在1 kHz 以下和1 MHz 附近呈现两个类Debye 型弛豫. 抛除表面层的同一个样品分别溅射金电
极和烧渗银电极后升温测量其介电频谱, 发现低频介电弛豫对电极的金属类型高度敏感, 而高频介电弛豫与电极
的金属类型无关, 与材料微观结构存在着密切的关系. 因此推断: CCTO 低频介电弛豫起源于样品与电极之间的耗
尽层效应, 而高频介电弛豫起源于高阻态的晶界与半导化的晶粒形成内部阻挡层电容效应.
关 键 词: 高介电材料; 耗尽层效应; 内阻挡层电容效应; 元素变价
中图分类号: TM283 文献标识码: A
Origin of Giant Dielectric Permittivity in CaCu Ti O Ceramics
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HAO Wen-Tao, ZHANG Jia-Liang, TAN Yong-Qiang, ZHENG Peng, WANG Chun-Lei
(School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China)
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Abstract: CaCu Ti O (CCTO) is one typical giant dielectric material with large ε´ value
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